碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状

发布时间：2017-11-18 23:15

  本文关键词：碳化硅零件氧化辅助抛光超精密加工的研究现状

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【摘要】：通过等离子体氧化、热氧化、电化学氧化在碳化硅基材上获得软质氧化层,利用软磨粒抛光实现氧化物的快速去除,有利于提高材料去除效率、提升加工表面质量。研究发现,通过等离子体氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.626nm和0.480nm;通过热氧化辅助抛光,表面粗糙度RMS和Ra分别达到0.920nm和0.726nm;在电化学氧化中,基于Deal-Grove模型计算得到的氧化速度为5.3nm/s,电化学氧化辅助抛光后的表面粗糙度RMS和Ra分别是4.428nm和3.453nm。氧化辅助抛光有助于烧结碳化硅加工工艺水平的提升,促进碳化硅零件在光学、陶瓷等领域的应用。
【作者单位】： 解放军理工大学野战工程学院;
【基金】：国家重点研发计划项目(2016YFC0802903) 国家自然科学基金(51505498) 江苏省自然科学基金(BK20150714)
【分类号】：TG580.692
【正文快照】： 随着空间技术的不断发展,大口径、轻量化、高精度反射镜成为侦察监视系统、激光雷达系统、大型天文望远镜的关键部件,空间应用的特殊性对镜面材料提出了严格的要求。烧结碳化硅(RS-SiC)由于具有机械硬度高、化学稳定性强、尺寸稳定性好、表面质量高、比刚度大、热变形系数小、

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本文编号：1201506