TC4合金复合抛光工艺及表面形貌演化规律
发布时间：2021-06-17 17:10
电解抛光装置简单,过程迅速,但加工精度仅在微米级别。离子抛光具有原子、分子量级的加工精度,但设备复杂,耗时较长。本文结合两种抛光方法的特点,提出了一种新的针对TC4合金的复合抛光工艺。以电解抛光作为粗抛手段,离子抛光作为精抛手段,以期实现TC4合金的快速精密抛光。在电解抛光工艺探究中,先通过测量阳极极化曲线确定好合适的电解电压,再采用单因素试验探究溶液配比及电解时间的影响,最终通过正交实验确定最优参数。在离子抛光工艺探究中,先是通过对粗糙度在1.5μm的表面,直接进行分段高能量大束流离子抛光,确定最优抛光时间,作为参照与复合抛光工艺所需时间进行对比。然后在电解抛光件的基础上,从离子能量、离子束流、抛光时间三个方面对复合抛光工艺中的离子抛光最优工艺参数进行了探究。本文主要通过激光共聚焦显微镜和原子力显微镜对工件表面形貌和粗糙度进行测量,配合扫描电子显微镜对表面成分进行检测。测量抛光速率时,使用十万分之一精密天平对不同时刻工件重量的减少进行测量以表征速率。研究发现,高氯酸甲醇电解液体系的最优电解抛光工艺为高氯酸与甲醇体积比1:11,电解电压32V,电解时间55s。在最优电解抛光参数下,电解...
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：77 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
心室辅助装置示意图
图 1-2 机械抛光与化学抛光 SEM 图对比[9]a) 机械抛光 b) 化学抛光化学机械抛光（chemical mechanical polishing），是一种将机械抛光和化光结合起来的方法。化学机械抛光是将工件通过夹具固定在抛光机上，向光表面和抛光盘之间通入抛光液，抛光液一般由化学溶液及颗粒物组成[zdemir 等人[11]使用不同大小 AL2O3颗粒配合不同浓度的 H2O2溶液，对钛进行抛光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如图 1-3 所示。同时，化学机械在钛合金表面形成的氧化膜有助于抑制细菌生长，控制细胞附着，提高了的生物相容性。
图 1-2 机械抛光与化学抛光 SEM 图对比[9]a) 机械抛光 b) 化学抛光机械抛光（chemical mechanical polishing），是一种将机械抛起来的方法。化学机械抛光是将工件通过夹具固定在抛光机和抛光盘之间通入抛光液，抛光液一般由化学溶液及颗粒等人[11]使用不同大小 AL2O3颗粒配合不同浓度的 H2O2溶液光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如图 1-3 所示。同时，化金表面形成的氧化膜有助于抑制细菌生长，控制细胞附着，相容性。) b)
本文编号：3235589
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
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【学位级别】：硕士
【部分图文】：
心室辅助装置示意图
图 1-2 机械抛光与化学抛光 SEM 图对比[9]a) 机械抛光 b) 化学抛光化学机械抛光（chemical mechanical polishing），是一种将机械抛光和化光结合起来的方法。化学机械抛光是将工件通过夹具固定在抛光机上，向光表面和抛光盘之间通入抛光液，抛光液一般由化学溶液及颗粒物组成[zdemir 等人[11]使用不同大小 AL2O3颗粒配合不同浓度的 H2O2溶液，对钛进行抛光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如图 1-3 所示。同时，化学机械在钛合金表面形成的氧化膜有助于抑制细菌生长，控制细胞附着，提高了的生物相容性。
图 1-2 机械抛光与化学抛光 SEM 图对比[9]a) 机械抛光 b) 化学抛光机械抛光（chemical mechanical polishing），是一种将机械抛起来的方法。化学机械抛光是将工件通过夹具固定在抛光机和抛光盘之间通入抛光液，抛光液一般由化学溶液及颗粒等人[11]使用不同大小 AL2O3颗粒配合不同浓度的 H2O2溶液光，表面粗糙度最低可降至 87nm，如图 1-3 所示。同时，化金表面形成的氧化膜有助于抑制细菌生长，控制细胞附着，相容性。) b)
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