当前位置:主页 > 科技论文 > 铸造论文 >

C、Si掺杂对WBC(Si)硬质涂层的性能影响及机理研究

发布时间:2022-02-12 21:18
  AlB2-type WB2是一种极具潜力的硬质自润滑涂层。其硬度高达3540GPa,磨损率低至10-7mm3/mN,有望用于航天航空等领域急需的高速高效切削钛、铝及其合金等难加工材料的刀具涂层,但其存在韧性低、压应力大等问题。通过C、Si掺杂构筑多元涂层可进一步改善WB2的综合性能。本文利用直流(反应)磁控溅射技术,在YG8硬质合金和Si片上分别制备了WBC和WBCSi涂层,系统地研究了C、Si掺杂对AlB2-type WB2基WBC(Si)涂层的组织结构、残余应力、力学、摩擦学性能的影响规律及作用机制。利用WB2靶材和C2H2,通过反应磁控溅射法制备了WBC涂层。保持总压强0.7Pa不变,随着PC2H2(00.035Pa)的增加,涂层的相组成依次为WB2/a-WC(a表示非晶),a... 

【文章来源】:西安石油大学陕西省

【文章页数】:67 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

C、Si掺杂对WBC(Si)硬质涂层的性能影响及机理研究


多层结构的韧化机制[12]

材料硬度,晶粒尺寸,位错,材料


生塑性变形的主要机制是位错的产生和运动。当材料受力新的位错,伴随着已经形成的位错不断滑移,直至遇到量原子错配形成了一个阻碍位错连续运动的斥力场,而动,就需要增加使材料发生位错运动的应力阈值。理论应力与位错网格中钉扎点的距离成反比,晶粒尺寸越小则合 Hall-Petch[14,15]关系式(1-1)。其中,H0为材料本征硬度料而言,k 是一个常数。6-18]表明,当晶粒尺寸低于 10nm 时,材料发生形变的主会急剧下降,即呈现 reverse Hall-Petch 效应,如图 1-2[的尺寸限制,Veprek 和 Reiprich[20,21]提出了热力学驱动合涂层:nc-TiN/a-Si3N4。nc-TiN/a-Si3N4纳米复合涂层的属氮化物被一个单分子层的 a-Si3N4所分隔,Si3N4抑制嵌于a-Si3N4的复合结构,由于nc-TiN内无法产生位错增值TiN 的阻碍难以扩展,使得材料实现了超高强度(80~105G

结构图,结构图


层中的 TiN 晶粒是以纳米直径的柱状晶形式存厚度约3个分子层(~0.7nm)的晶体态,并不是以 Si3N4界面相与相邻的 TiN 晶体形成了共格结i3N4其实是一种“赝晶”,并在近期所发表的论文格结构的模型[27]。同时早在 2005 年 Veprek[2界面层是“amorphous”改成了“X-ray amorphous”改成了“nc-TiN/Si3N4”。但在制备技术方面,十eprek 超过金刚石硬度的结果,Veprek 将结果归度和氮分压不够高,二是因为涂层中存在的微广泛争议,但这一设计理念具有显著的进步意

【参考文献】:
期刊论文
[1]钨硅二元体系化合物稳定性、力学性能和电子结构的理论计算研究[J]. 金娜,庾强,杨延清,罗贤.  功能材料. 2018(04)
[2]柔性硬质纳米复合涂层[J]. 金德里奇·缪塞尔.  中国表面工程. 2016(03)
[3]硬质陶瓷涂层增韧及其评估研究进展[J]. 裴晨蕊,孙德恩,Sam Zhang,黄佳木.  中国表面工程. 2016(02)
[4]评Veprek的nc-TiN/a-Si3N4模型和其“超过金刚石硬度”的实验基础[J]. 李戈扬.  无机材料学报. 2015(01)
[5]磁控溅射制备的W,WSi2,Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力[J]. 黄秋实,李浩川,朱京涛,王晓强,蒋励,王占山,唐永建.  强激光与粒子束. 2011(06)
[6]硬质及超硬涂层的研究现状及发展趋势[J]. 张瑛,杨俊峰,方前锋.  科技资讯. 2009(33)
[7]硬质合金刀具涂层技术现状及展望[J]. 陈颢,羊建高,王宝健,刘海浪.  硬质合金. 2009(01)

博士论文
[1]MoB2和WB3的高温高压合成及其结构和硬度性质研究[D]. 陶强.吉林大学 2015
[2]两相纳米结构薄膜中的模板效应与超硬效应[D]. 孔明.上海交通大学 2009



本文编号:3622397

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jiagonggongyi/3622397.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户244b1***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com