异种合金共晶钎焊界面反应与钎透率研究
发布时间:2023-01-29 17:05
Mo85Cu15合金导热性较强,其热膨胀系数与制造大功率芯片的GaAs相近,因此常作为高密度收发组件中大功率芯片的封装基板。可伐合金导热性和焊接性与GaAs相近,在芯片钎焊工艺研究中常作为GaAs的替代品,也是功能器件装配载体的常用材料。50%Si-Al因含硅量较高,拥有质量轻、导热性好、耐磨性强的优点,常用来作为芯片模块和可伐合金基板的封装外壳。目前芯片封装存在钎透率较低、封装可靠性与一致性难以保障的缺点。芯片的封装质量对于芯片工作性能和寿命有着重要的影响,但整个过程涉及多种材料,界面反应非常复杂。研究异种材料钎焊时发生的界面反应以及工艺参数对钎透率的影响机理是保证芯片在大功率条件下正常运行的必要途径。本文采用AuSn20焊料焊接可伐合金芯片与钼铜载体、可伐合金基板与铝硅板,采用Sn43Pb43Bi14焊料焊接钼铜载体与铝硅壳体,板材表面均有Ni/Au镀层。通过光学显微镜、扫描电镜、XRD检测及X射线无损探伤研究工艺参数对焊缝宏观形貌的影响、焊料组织成分以及两种焊料与基板镀层间发生的元素扩散和界面反应,分析接头连接机理。通过X射线检测与钎透率数值模拟相结合的方式研究工艺参数对芯片钎透...
【文章页数】:74 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
金锡二元相图
铅锡合金二元相图
锡-铅-铋三元合金相图
【参考文献】:
期刊论文
[1]微波芯片共晶焊接技术研究[J]. 陈帅,赵志平,张飞,黄建国,赵文忠. 电子工艺技术. 2018(03)
[2]烧结温度与时间对注射成形4J29-Kovar合金性能的影响[J]. 李波,罗丰华,李益民,何浩. 粉末冶金材料科学与工程. 2017(06)
[3]Au20Sn/Au微焊点抗时效性能的研究[J]. 付明洋,孙凤莲,刘洋. 电子元件与材料. 2017(12)
[4]大面积基板焊接空洞率研究[J]. 曾嵩,孙乎浩,王成,陈澄,陈旭辉. 电子工艺技术. 2017(05)
[5]微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究[J]. 吴娜,胡永芳,严伟,李孝轩. 电子机械工程. 2016(04)
[6]混合集成电路组装中的共晶焊技术[J]. 杨宗亮,俸绪群. 电子测试. 2016(15)
[7]微波功率芯片真空焊接工艺研究[J]. 罗头平,寇亚男,崔洪波. 电子工艺技术. 2015(04)
[8]AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响[J]. 李良海,仝良玉,葛秋玲. 电子与封装. 2015(04)
[9]某型基站大功率模块散热优化设计[J]. 吴赵兵,张永刚,颜克文. 电子世界. 2014(16)
[10]微波功率芯片真空共晶工艺研究[J]. 姬峰,王兴茂. 航天制造技术. 2014(04)
硕士论文
[1]有源相控阵雷达低截获概率波形研究[D]. 曾高强.电子科技大学 2011
[2]微波多芯片组件微组装关键技术及其应用研究[D]. 李孝轩.南京理工大学 2009
本文编号:3732703
【文章页数】:74 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
金锡二元相图
铅锡合金二元相图
锡-铅-铋三元合金相图
【参考文献】:
期刊论文
[1]微波芯片共晶焊接技术研究[J]. 陈帅,赵志平,张飞,黄建国,赵文忠. 电子工艺技术. 2018(03)
[2]烧结温度与时间对注射成形4J29-Kovar合金性能的影响[J]. 李波,罗丰华,李益民,何浩. 粉末冶金材料科学与工程. 2017(06)
[3]Au20Sn/Au微焊点抗时效性能的研究[J]. 付明洋,孙凤莲,刘洋. 电子元件与材料. 2017(12)
[4]大面积基板焊接空洞率研究[J]. 曾嵩,孙乎浩,王成,陈澄,陈旭辉. 电子工艺技术. 2017(05)
[5]微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究[J]. 吴娜,胡永芳,严伟,李孝轩. 电子机械工程. 2016(04)
[6]混合集成电路组装中的共晶焊技术[J]. 杨宗亮,俸绪群. 电子测试. 2016(15)
[7]微波功率芯片真空焊接工艺研究[J]. 罗头平,寇亚男,崔洪波. 电子工艺技术. 2015(04)
[8]AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响[J]. 李良海,仝良玉,葛秋玲. 电子与封装. 2015(04)
[9]某型基站大功率模块散热优化设计[J]. 吴赵兵,张永刚,颜克文. 电子世界. 2014(16)
[10]微波功率芯片真空共晶工艺研究[J]. 姬峰,王兴茂. 航天制造技术. 2014(04)
硕士论文
[1]有源相控阵雷达低截获概率波形研究[D]. 曾高强.电子科技大学 2011
[2]微波多芯片组件微组装关键技术及其应用研究[D]. 李孝轩.南京理工大学 2009
本文编号:3732703
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