工件旋转法磨削硅片的磨粒切削深度模型

发布时间：2017-10-01 20:07

  本文关键词：工件旋转法磨削硅片的磨粒切削深度模型

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【摘要】：半导体器件制造中,工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平坦化加工和背面薄化加工最广泛应用的加工方法。磨粒切削深度是反映磨削条件综合作用的磨削参量,其大小直接影响磨削工件的表面/亚表面质量,研究工件旋转法磨削的磨粒切削深度模型对于实现硅片高效率高质量磨削加工具有重要的指导意义。通过分析工件旋转法磨削过程中砂轮、磨粒和硅片之间的相对运动,建立磨粒切削深度模型,得到磨粒切削深度与砂轮直径和齿宽、加工参数以及工件表面作用位置间的数学关系。根据推导的磨粒切削深度公式,进一步研究工件旋转法磨削硅片时产生的亚表面损伤沿工件半径方向的变化趋势以及加工条件对磨削硅片亚表面损伤的影响规律,并进行试验验证。结果表明,工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿硅片半径方向从边缘到中心逐渐减小,随着砂轮磨粒粒径、砂轮进给速度、工件转速的增大和砂轮转速的减小,加工硅片的亚表面损伤也随之变大,试验结果与模型分析结果一致。
【作者单位】： 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室;
【关键词】： 硅片 磨削 磨粒切削深度 亚表面损伤
【基金】：国家自然科学创新研究群体(51321004) 国家自然科学基金重大研究计划集成项目(91023019)、国家自然科学基金青年科学基金(51505063) 辽宁省教育厅科学研究(L2014015)资助项目
【分类号】：TG580.6
【正文快照】： 0前言*单晶硅片是目前半导体器件制造中应用最广泛的芯片衬底材料,硅片的面型精度和表面/亚表面质量对于半导体器件的电学性能、可靠性以及成品率等均有直接的影响。随着半导体器件制造技术的不断进步,对衬底材料单晶硅片的面型精度和表面/亚表面质量提出越来越高的要求,如亚

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本文编号：955394