四通道表贴金属陶瓷封装光电耦合器研制

发布时间：2021-06-30 13:54

　　武器装备信息化是应对国际安全局势恶化、调整国际秩序、加深大国博弈,实现和平发展的必要防御手段,而电子元器件作为基础单元、核心单元,其综合性能指标提高一直备受研究者关注,高性能产品核心制造技术一直为欧美等国家把持并对我国实行严格禁运,以遏制我国航天事业的发展。高质量光电耦合器就是其中之一。本论文针对武器装备应用的高质量、高性能、高可靠性、强抗电磁干扰能力、小型化等需求,设计了一种小型化四通道表面贴装式高质量等级的光电耦合器封装结构,并进行了深入的工艺研究和实验,主要工作包括:1、在分析了光电耦合器的结构、工作原理、参数需求和物理限制的基础上,在深入理解半导体芯片工作机理的前提下,设计了面向高性能要求的光电耦合器封装结构,采用四通道各自独立,在物理上相互隔离,彻底避免多路光信号间的互扰,为最大限度发掘芯片优势、减小寄生效应影响和干扰,提高器件可靠性奠定了基础。2、在确定了封装结构的基础上,针对工业级同类产品性能只能满足常规环境下的使用要求,工作温度范围小,最高工作温度较低（100℃）;抗冲击能力弱,经受不住随机频率的振动和较大加速度的应力冲击;环境适应性差,在高温高湿、有盐气等腐蚀性环境的... 

【文章来源】：北京工业大学北京市 211工程院校

【文章页数】：53 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

光电耦合器示意图

图 2-2 LED 受激辐射发光原理 The principle of stimulated radiation of LED ligh特性物理本质是 PN 结，因此其电学特性与普通 VF、反向电流 IR。伏安特性是描述流过其电流随两端电压变器件性能优劣的重要标志，主要可以分为图图中一象限起始段，外加正向电压小于开

第 2 章 光电耦合器芯片方面的研究当对发光二极管两端施加反向电压时，多数载流子不很顺利的流过 PN 结，从而形成反向电流，由于少数与温度有关，因此，通常称这个过程形成的电流为反向：在反向电压逐渐增大过程中，最初反向电流无多大个值后，反向电流突然增大，器件将出现被击穿的现

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3257868