军用集成电路的可靠性与检测筛选
发布时间:2021-08-16 16:15
本文说明了军用集成电路可靠性研究工作的重要性及紧急性。对可靠性理论的阐述和可靠性试验的原理及解释,简述了军用电子元器件的分类以及筛选的方法的必要性。文章主要归纳了军用集成电路的失效模式对其在设计生产过程中出现的类似失效模式进行预防,有效降低军用集成电路的失效率。并针对此类问题,制定切实可行的预防机制及改进措施,用于今后生产军用集成电路的研制、生产、检验。从而确保各种军事武器装备的可靠性,并保证其使用寿命及设备功能。本论文旨在通过对可靠性各种试验以及军用电子元器件的分类的介绍,并着重阐述了军用集成电路的失效分析、失效机理、失效模式、机理分析及可靠性试验,结合失效分析结果为今后在筛选工作中提供了有力的数据理论支持。本文通过设计、工艺、原材料和元器件等多方面的分析采取措施和对策,达到提高军用集成电路可靠性的目的,并可借鉴在其他军用电子元件的生产和设计过程中。
【文章来源】:南京理工大学江苏省 211工程院校
【文章页数】:50 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2.1可靠性试验??J1??
图6.1集成电路的ESD击穿??26??
图6.4样片苍片图??结论??验证,样片电路的失效是由于该电路在使用过程中受到了外界电路芯片中某些存储管的栅介质击穿,引起存储管漏电,造成电,致使电路失效[391。??和装定等过程中,采取净化电源的措施,避免外部环境产生大的的影响。??对半导体集成电路和厚膜混合集成电路所出现过的主要的失进行分析,说明了设计、工艺、检验、W及使用等环节要针对电路各相关环节控制和管理,避免造成严重的损失。通过对气、、、、
【参考文献】:
期刊论文
[1]可伐合金气密封接的预氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 电子与封装. 2004(03)
[2]可靠性概念的应用必须确切[J]. 赵和义,郑鹏洲. 微电子学与计算机. 2003(10)
[3]研究和处理DPA不合格的母体[J]. 赵和义,郑鹏洲. 半导体技术. 2003(09)
[4]混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析[J]. 耿志挺,马莒生,宁洪龙,黄福祥. 稀有金属材料与工程. 2003(08)
[5]ESD破坏的特点及对策[J]. 王卫民,孙宇华. 电测与仪表. 2003(05)
[6]从寿命试验到加速寿命试验[J]. 茆诗松. 质量与可靠性. 2003(01)
[7]破坏性物理分析(DPA)技术促进国产电子元器件质量提高[J]. 徐爱斌,刘发. 电子产品可靠性与环境试验. 2002(05)
[8]电子元器件破坏性物理分析中几个难点问题的分析[J]. 张延伟. 电子产品可靠性与环境试验. 2002(01)
[9]键合质量与电子元器件应用可靠性[J]. 曹宏斌. 电子元器件应用. 2002(Z1)
[10]半导体器件DPA不合格的根源研究[J]. 张素娟,周永宁,郑鹏洲. 半导体技术. 2001(01)
本文编号:3345994
【文章来源】:南京理工大学江苏省 211工程院校
【文章页数】:50 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2.1可靠性试验??J1??
图6.1集成电路的ESD击穿??26??
图6.4样片苍片图??结论??验证,样片电路的失效是由于该电路在使用过程中受到了外界电路芯片中某些存储管的栅介质击穿,引起存储管漏电,造成电,致使电路失效[391。??和装定等过程中,采取净化电源的措施,避免外部环境产生大的的影响。??对半导体集成电路和厚膜混合集成电路所出现过的主要的失进行分析,说明了设计、工艺、检验、W及使用等环节要针对电路各相关环节控制和管理,避免造成严重的损失。通过对气、、、、
【参考文献】:
期刊论文
[1]可伐合金气密封接的预氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 电子与封装. 2004(03)
[2]可靠性概念的应用必须确切[J]. 赵和义,郑鹏洲. 微电子学与计算机. 2003(10)
[3]研究和处理DPA不合格的母体[J]. 赵和义,郑鹏洲. 半导体技术. 2003(09)
[4]混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析[J]. 耿志挺,马莒生,宁洪龙,黄福祥. 稀有金属材料与工程. 2003(08)
[5]ESD破坏的特点及对策[J]. 王卫民,孙宇华. 电测与仪表. 2003(05)
[6]从寿命试验到加速寿命试验[J]. 茆诗松. 质量与可靠性. 2003(01)
[7]破坏性物理分析(DPA)技术促进国产电子元器件质量提高[J]. 徐爱斌,刘发. 电子产品可靠性与环境试验. 2002(05)
[8]电子元器件破坏性物理分析中几个难点问题的分析[J]. 张延伟. 电子产品可靠性与环境试验. 2002(01)
[9]键合质量与电子元器件应用可靠性[J]. 曹宏斌. 电子元器件应用. 2002(Z1)
[10]半导体器件DPA不合格的根源研究[J]. 张素娟,周永宁,郑鹏洲. 半导体技术. 2001(01)
本文编号:3345994
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/jingguansheji/3345994.html