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Ti掺杂对ZrCo贮氚合金中氦行为的影响研究

发布时间:2021-07-05 11:23
  采用掠入射X射线衍射(GIXRD)、弹性离子反冲(ERD)、氦热解吸(TDS)、扫描电镜(SEM)对直流磁控溅射法制备的含氦Zr-Co、Zr-Ti-Co薄膜进行分析,分别得到样品物相、氦的深度和浓度分布、氦热解吸图谱以及热解吸前后的表面形貌。氦热解吸实验曲线反映出Ti的掺杂有利于抑制ZrCo贮氚合金中氦的迁移、聚集和发展,提升相应捕陷位置中氦的释放温度;氦热解吸后,Zr0.8Ti0.2Co薄膜样品的晶界密度相比ZrCo薄膜样品更低,降低减少了氦泡迁移的通道,延缓高温下氦泡迁移合并的趋势,表明掺杂Ti可提升ZrCo合金的固氦能力,对高温条件下氦的释放具有抑制作用。 

【文章来源】:钛工业进展. 2020,37(04)北大核心

【文章页数】:6 页

【图文】:

Ti掺杂对ZrCo贮氚合金中氦行为的影响研究


低氦含量和高氦含量Zr Co和Zr0.8Ti0.2Co薄膜的GIXRD图谱

弹性,离子,样品,薄膜


为确定样品中氦的浓度和深度分布,利用弹性离子反冲法对薄膜样品中氦进行分析。图2为高氦含量ZrCo和Zr0.8Ti0.2Co薄膜中氦的弹性离子反冲图。从图2中可以看出,薄膜样品中氦的实验数据与模拟结果基本吻合。图3为解谱后薄膜样品中氦浓度随深度的变化曲线。从图3可以看出,氦在薄膜中的分布较为均匀,低、高氦含量Zr Co和Zr0.8Ti0.2Co样品中氦的原子分数分别达到1%~2%和11%~12%。而且无论氦含量高低,Zr Co和Zr0.8Ti0.2Co薄膜样品中氦的深度几乎相同,氦浓度随深度变化趋势也几乎相同。图3中薄膜表面的氦浓度较低,这是由于氦从该区域逸出造成的。

变化曲线,薄膜,样品,变化曲线


在利用氦热解吸分析氦在材料中的演化之前,需了解氦在样品中的演化过程。本实验通过磁控溅射将样品靶材反向散射的氦原子均匀植入合金中,氦原子将优先与材料中的缺陷结合,形成氦空位复合体[25]。在低激活扩散能(约0.4 eV)的情况下,间隙位氦原子会迁移到氦空位复合体(HenVm)中[26]。随着氦原子的积累,将形成不同大小的氦泡,并分布于整个材料中,在一定条件下这些氦泡进一步通过迁移合并机制或熟化机制[27]演变成大的氦泡,最终延伸至材料表面释放逸出。图4为Zr Co及Zr0.8Ti0.2Co薄膜样品的氦热解吸谱图。根据图4中氦热解吸峰的特征,将氦热解吸谱划分为3个释放区域:低温区I区温度范围150~400℃,中温区Ⅱ区温度范围400~800℃,高温区Ⅲ区温度范围800~1 200℃。在I区所有样品都有1个连续的微弱释放区域,释放的氦附着在样品表面。研究者普遍认为,样品表面附着的这些氦可在低温条件下脱附[22,28]。对比Ⅱ区和Ⅲ区可以看到,随着样品包覆氦含量的增加,Ⅲ区氦热释放峰消失,而Ⅱ区氦热释放峰明显增强且形式单一。

【参考文献】:
期刊论文
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本文编号:3265982

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