不同工艺下取向硅钢超薄带中Goss织构取向分析

发布时间：2021-10-25 17:14

　　采用"初次再结晶法"和"二次再结晶法"制备了0.10 mm和0.05 mm取向硅钢超薄带,研究了两种制备方法下高斯织构形成规律的差异;考察了"初次再结晶法"中退火时间对织构和磁性能的影响;分析了"二次再结晶法"板厚对二次再结晶的影响。结果表明,"初次再结晶法"所形成的高斯织构是单晶高斯取向晶粒的形变再结晶行为,随着退火时间的延长,强偏转立方取向逐渐被高斯取向所取代;采用"二次再结晶法"制备0.05 mm及以下厚度取向硅钢超薄带时,二次再结晶难以发生。 

【文章来源】：材料热处理学报. 2020,41(10)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

初次再结晶法900 ℃下不同退火时间样品的取向成像

图1 初次再结晶法900 ℃下不同退火时间样品的取向成像图4给出了两个厚度样品缓慢升温到1200 ℃高温退火后的宏观组织:其中0.10 mm厚样品发生了完善的二次再结晶,而0.05 mm厚样品却未发生异常长大。经检测,0.10 mm和0.05 mm样品J800分别为1.80 T和1.39 T,性能数据低于初次再结晶法,推测织构不如前者锋锐。两个样品高温退火前主要是厚度存在差异,MnS及AlN尺寸及分布应无差异。高温退火后的结果却截然不同,说明厚度减薄带来的表面能作用会严重影响抑制剂的有效发挥,阻碍二次再结晶的发生。为保证合适冷轧压下量而增加的冷轧次数只能将发生二次再结晶的板厚由原来0.3 mm减薄到0.10 mm,却难以低于此厚度。

在初次再结晶法900 ℃退火样品中观察到大量立方及强偏转立方取向的晶粒,并且随着退火时间的延长,立方、特别是这些强偏转立方织构逐渐转变被高斯取向晶粒吞并。根据Dunn[3]的研究,Goss单晶冷轧并初次再结晶退火后,{111}<112>形变织构重新转变为高斯织构,表现为典型的高斯取向遗传性;但不应出现如此多的强偏转立方织构,因为原始成品取向硅钢板已经过二次再结晶而不应存在立方取向晶粒。图4 二次再结晶法1200 ℃高温退火后宏观组织

【参考文献】：
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本文编号：3457842