CuO纳米线阻变存储器的组装及电阻开关特性

发布时间：2018-06-19 11:26

  本文选题：氧化铜 + 阻变存储器　； 参考：《固体电子学研究与进展》2015年02期

【摘要】：用热氧化法在空气中加热铜片制备了CuO纳米线(CuO NWs),通过FESEM对纳米线表面进行了观察,并用液体转移法组装成功了一种简单的阻变存储器件。通过I-V测试系统观察到了Cu/CuO NWs/Cu器件表现出了明显的双极型和单极型。最后通过对比高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的表面形貌,解释了Cu/CuO NWs/Cu器件的阻变机制。
[Abstract]:CuO nanowires CuO NWsO were prepared by heating copper in air by thermal oxidation method. The surface of nanowires was observed by FESEM. A simple resistive memory device was fabricated by liquid transfer method. Through the I-V measurement system, the Cu / CuO NWsr / Cu devices show obvious bipolar and monopole patterns. Finally, the resistance mechanism of Cu / CuO NWs / Cu devices is explained by comparing the surface morphology of high resistance HRS and low resistance LRS.
【作者单位】： 暨南大学信息科学技术学院电子工程系;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11204105)
【分类号】：TP333

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