基于TSMC65nm锁存型灵敏放大器失调电压的建模

发布时间：2017-03-23 13:18

  本文关键词：基于TSMC65nm锁存型灵敏放大器失调电压的建模，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：SRAM的结构由存储单元阵列和外围电路两大部分组成,其中存储单元阵列是SRAM的核心部分,其结构相对固定,一般由工艺水平所决定,所以就主要通过对外围电路的改进来提高SRAM的性能。SRAM外围电路包括：行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(SA, Sense Amplifier),控制电路(Control Circuit),缓冲/驱动电路(FFIO)等。其中灵敏放大器的作用是将位线上的微弱信号转化为满足要求的输出信号,灵敏放大器的性能优劣对SRAM的性能影响重大,从而关系到半导体存储器的整体性能,而失调电压是灵敏放大器的性能指标中最重要的参数。随着微电子工艺的不断进步,半导体器件的工艺参数如尺寸、位线上的负载电容和阈值电压的不匹配可能会造成输入信号被灵敏放大器错误的放大,所以预测其失调电压已是在设计灵敏放大器时的关键步骤。本文对比与分析了几种不同类型的灵敏放大器的基本结构并通过仿真比较了他们的优缺点,最后选定锁存型灵敏放大器作为本论文研究失调电压的基础。接着分析了锁存型灵敏放大器电路失配的原因,并对失调可能产生的结果进行分析,提出一种新的失调电压的模型。该模型根据基尔霍夫电流定律得出锁存型灵敏放大器就器件的阈值电压失配、跨导失配和负载电容失配引起的失调电压的计算公式。最后将Cadence仿真结果分别与模型计算结果进行比较,得出该模型可以很好的模拟锁存型灵敏放大器的失调电压。
【关键词】：灵敏放大器 失调电压 失配 模型
【学位授予单位】：安徽大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TP333;TN722
【目录】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 绪论7-14
• 1.1 论文研究背景7-12
• 1.2 论文的研究内容12-13
• 1.3 论文的结构13
• 1.4 本章小结13-14
• 第二章 几种常用灵敏放大器的分析14-33
• 2.1 电流镜型灵敏放大器15-18
• 2.1.1 基本电路结构15-16
• 2.1.2 过渡过程分析16-17
• 2.1.3 过渡过程仿真17-18
• 2.1.4 优缺点18
• 2.2 交叉耦合型灵敏放大器18-21
• 2.2.1 基本电路结构19
• 2.2.2 过渡过程分析19-20
• 2.2.3 过渡过程仿真20-21
• 2.2.4 优缺点21
• 2.3 锁存器型灵敏放大器21-32
• 2.3.1 反相器分析21-25
• 2.3.2 基本锁存器型灵敏放大器25-28
• 2.3.3 带差分结构的锁存器型灵敏放大器28-32
• 2.4 总结32-33
• 第三章 失调电压的建模33-48
• 3.1 锁存型灵敏放大器的失调分析33-37
• 3.2 锁存型灵敏放大器的失调电压模型建立37-43
• 3.3 模型的验证43-47
• 3.3.1 阈值电压失配43-45
• 3.3.2 跨导失配45-47
• 3.3.3 负载电容失配47
• 3.4 本章小结47-48
• 第四章 结论48-50
• 4.1 总结48
• 4.2 工作展望48-50
• 参考文献50-53
• 附录53-55
• 图表目录55-56
• 致谢5

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本文编号：263822