基于STT-MRAM的位逻辑运算方案及灵敏放大器设计

发布时间：2020-12-11 07:55

　　基于1T1MTJ的自旋转移矩-磁随机存储器（STT-MRAM）提出了一种改进型存内位逻辑计算方案。该方案通过精简2T2MTJ存内位逻辑运算方案提升了存储阵列密度,通过互补型读出电路增加了"与非"和"或非"的运算功能。此外,还通过增加支路电压稳定电路的方法,提出了一种适用于上述方案的改进型高速灵敏放大器。基于中芯国际55 nm LL逻辑工艺的仿真结果表明,相较于传统的灵敏放大器,该方案不仅读取速度提升了33%,在适配大型存储阵列（CB≥0.8 p F）时还拥有更强的读取能力与更优的功率积（PDP）。 

【文章来源】：电子技术应用. 2020年06期 第40-44+50页

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 基于STT-MRAM的高密度位逻辑运算方案
    1.1 1T1MTJ的存内位逻辑运算方案
    1.2 1T1MTJ存内位逻辑运算的典型读电路仿真结果
2 1T1MTJ位逻辑运算方案的改进型高速灵敏放大器
3 电路仿真结果与分析
    3.1 面对不同尺寸阵列的感测结果比较
    3.2 不同输入输出电容对放大器性能的影响
    3.3 工艺角和不同磁阻下的放大器仿真
4 结论


【参考文献】：
硕士论文
[1]基于65nm SRAM的低失调自启动灵敏放大器的分析与设计[D]. 周永亮.安徽大学 2017



本文编号：2910163