BaTiO 3 /CoFeB/BaTiO 3 三层膜电阻开关特性的研究

发布时间：2021-01-14 01:59

　　随着社会的发展,人们接触到的信息越来越多,需要储存的信息当然也随之增多。而信息的储存离不开储存器,目前我们使用的主流的储存器是闪存,闪存作为一种非易失性的储存器,相比于最初的易失性储存器有着太多的优点,这为我们的日常生活带来了很大的便利,我们现在使用的手机和电脑所使用的储存器几乎都是闪存。随着人们对信息储存的要求越来越高,闪存的单个元器件的尺寸逐渐在减小,不过受限于目前制造工艺和基础理论,闪存正面临着极大的挑战,因为当其单个元器件的大小减小到量子尺度时,强烈的量子效应就会干扰信息的储存,使得储存的信息变得不稳定,在这样的一个前提下,我们就需要找到另一种新型的储存器来代替闪存,这种新型的储存器需要是非易失性的,并且还应该具有储存密度高、读写速度快、功耗低、廉价等优点,只有这样才有可能成为下一代通用储存器件。目前在磁储存器、铁电储存器、相变储存器、阻变储存器这几个候选者中,科研人员对阻变储存器抱有最大的期望,认为它最可能成为下一代通用储存器件。阻变储存器是基于电阻开关效应的一个新型储存器,电阻开关是目前物理学的研究热点之一,它是指一些材料的电阻能够在外加电压的作用下能够在不同的电阻态之间可... 

【文章来源】：西南大学重庆市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 引言
3薄膜的基本性质">    1.2 BaTiO₃薄膜的基本性质
3薄膜的晶体结构">        1.2.1 BaTiO₃薄膜的晶体结构
3薄膜的光电特性">        1.2.2 BaTiO₃薄膜的光电特性
3薄膜的多铁性">        1.2.3 BaTiO₃薄膜的多铁性
    1.3 CoFeB薄膜的基本性质
    1.4 几种新型的随机储存器件
    1.5 电阻开关效应
        1.5.1 电阻开关效应的分类
        1.5.2 电阻开关效应的电流传导机制
        1.5.3 电阻开关效应的机理解释
        1.5.4 电阻开关效应研究进展
    1.6 本课题的研究意义和内容
第二章 薄膜的制备和表征
    2.1 薄膜的制备
        2.1.1 分子束外延
        2.1.2 激光脉冲沉积
        2.1.3 溶胶-凝胶法
        2.1.4 水热合成法
        2.1.5 磁控溅射
    2.2 薄膜样品的表征
        2.2.1 薄膜样品厚度的测量
        2.2.2 薄膜样品表面形貌的表征
        2.2.3 薄膜样品组分的测定
        2.2.4 薄膜样品结构的测定
        2.2.5 薄膜样品磁性的测定
        2.2.6 薄膜样品电学性质的测定
第三章 BTO/CFB/BTO三层膜电阻开关器件的制备与性能研究
    3.1 样品的制备
    3.2 样品的表征
    3.3 样品电阻开关特性的测量与结果分析
        3.3.1 样品电阻开关特性的测量
        3.3.2 结果分析与讨论
        3.3.3 机理解释
第四章 结论
参考文献
硕士期间论文发表情况
致谢


【参考文献】：
期刊论文
[1]下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响[J]. 李红霞,陈雪平,陈琪,毛启楠,席俊华,季振国.  物理学报. 2013(07)
[2]The effects of substrate temperature on ZnO-based resistive random access memory devices[J]. 赵建伟,刘凤娟,黄海琴,胡佐富,张希清.  Chinese Physics B. 2012(06)
[3]单相多铁性材料——极化和磁性序参量的耦合与调控[J]. 王克锋,刘俊明,王雨.  科学通报. 2008(10)
[4]BaTiO3铁电薄膜的研究进展[J]. 张建辉.  金属功能材料. 2007(03)
[5]用于近代物理实验教学的振动样品磁强计[J]. 张志杰,贺天民,孙昕,杜晓波.  物理实验. 2007(04)
[6]钛酸钡的制备研究进展[J]. 全学军,蒲昌亮.  材料导报. 2002(06)

硕士论文
[1]BiFeO3/γ-Fe2O3颗粒膜的光电性能研究[D]. 沈真.西南大学 2014
[2]多铁材料的制备和性能研究[D]. 张金林.兰州大学 2012



本文编号：2975981