基于WS 2 和GOQDs二维材料的电荷俘获型存储器特性研究

发布时间：2021-01-21 10:07

　　全球电子信息科技迅速发展,小范围到生活中智能手表、手机、笔记本电脑、数码相机和GPS定位系统等,大到航空、航天、航海等各大领域,电子产品已然无处不在。与此同时,人们对体积小、方便携带、快捷的电子产品提出了更高的要求。为了满足使用者的需求,电子产品的心脏（具有体积小、高密度、高速度、高数据保持、低功耗和低成本的非挥发型存储器）成为学者们的研究方向。目前,存储器有两大热点研究:一是基于传统浮栅存储器结构改进的电荷俘获型存储器（Charge Trapping Memory,CTM）,二是打破传统结构全新的非挥发型存储器。特别是电荷俘获型存储器秉承了传统的浮栅存储器其外围电路、存储阵列和制备工艺,因而其因能和传统半导体CMOS工艺相兼容,同时具有低操作电压、低功耗和高抗疲劳等性能而受到广泛关注。电荷俘获型存储器具有良好的应用前景,相信在未来将成为存储器发展的一大趋势。电荷俘获型存储器由衬底、隧穿层、俘获层、阻挡层和电极层这五部分构成。其存储原理是通过俘获层独特材料具有的缺陷来实现分立式电荷存储。此类存储方式有效地提高了存储器件的抗疲劳特性,并且有利于隧穿层厚度的减薄。然而,经调查发现目前研究的... 

【文章来源】：河北大学河北省

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

传统浮栅存储器立体结构示意图

第一章 绪 论一直以来，半导体存储市场总收入虽然有过低谷，但总体来看呈持续增长趋势。随着全球电子科技的快速发展，各国需求迅速上升。相信在未来的几年内，半导体存储市场仍能继续保持增长的大趋势。半导体存储器按照数据保持特性可分为非挥发型存储器和挥发型存储器，如图 1-2 所示。非挥发型存储器（NVM）是指切断电源后，存储器存储的信息还能继续保留，不会随时间的推移而消失[1]。非挥发型存储器包括传统的非挥发型存储器，如：可擦除可编程只读存储器（EPROM），带电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）以及 Flash 存储器；和新兴非挥发型存储器，如：电荷俘获存储器（CTM）、磁随机存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM）、铁电存储器（FRAM）

图 1-3 相变存储器结构示意图电极、电阻（加热器）、绝缘体、无定的，如图 1-3 器件单元结构示意图。其态（低电阻态）与非晶态（高电阻态）,信息的读取靠测量电阻的变换来完成[的过程称为 SET 过程（写入“1”）；而将ET 过程（写入“0”）。具体过程为[6]：施加一个通常在约 10ns 的窄而强的脉度上升高到熔点以上,随后通过一个以大为非晶态，此时存储器件有很高的电阻加一个通常几十纳秒宽而弱的脉冲,当点以下时,材料便逐渐结晶,渐渐转变成于“1”态。

【参考文献】：
期刊论文
[1]石墨烯氧化物薄膜电极的光电化学特性(英文)[J]. 张晓艳,孙明轩,孙钰珺,李靖,宋鹏,孙通,崔晓莉.  物理化学学报. 2011(12)

博士论文
[1]高-k氧化物介质在电荷俘获型存储器件的应用研究[D]. 龚昌杰.南京大学 2014
[2]电荷俘获型存储器阻挡层的研究[D]. 金林.安徽大学 2012

硕士论文
[1]高介电钽钛复合氧化物在电荷俘获型存储器中的应用研究[D]. 魏春阳.南京大学 2017
[2]基于Ba0.6Sr0.4TiO3和Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存储特性研究[D]. 李玉成.河北大学 2016
[3]铁基磁性薄膜和铁磁微粉/石蜡复合材料的制备及微波性能研究[D]. 龚露倩.兰州大学 2012



本文编号：2990961