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低EMI键鼠控制芯片设计

发布时间:2021-01-23 10:13
  为了适应键盘鼠标制造厂商不断更新的应用需求和对芯片本身越来越高的性能需要,本文介绍了一款典型的用于键鼠控制的单片机芯片的设计和开发。从系统定义出发确定了以8051微控制器作为控制核心,使用闪存作为程序存储介质的系统架构。外围配置了电源管理,时钟管理,复位控制,定时器,多模式串行输出及模数转换等功能模块。针对键盘鼠标厂商关心的低电磁辐射性能,提出了通过降低系统同步设计电路的峰值电流和降低芯片管脚翻转时造成的峰值电流以达到降低芯片电磁辐射的具体设计方案。仿真和实测结果表明通过降低峰值电流可以明显降低电磁辐射,并且在键盘鼠标应用系统中得到了很好的验证。 

【文章来源】:复旦大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:60 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

低EMI键鼠控制芯片设计


全球keyboard出货量图

示意图,读写时序,上升沿,方式


RRR000R111R222R333R444R555R666尺 777 RRR000R111R222R333R444R555R666R777图2一5工nterna1R八初功能划分示意图工 NTERNALRAM接口信号如下表:表2一linternalram接口 NNNameeeI/000Functionnn iiiramenableeeOOO工 nternalRAM使能信号,高电平有效 效 iiiramreadnwriteeeOOO工 nternalRAM读写信号,高电平读有效,低电平写有效 效iiiram_addr「7:0〕 〕 OOOInterna1R灿1地址线 线 iiiram_data_in[7:O]]]OOO工 nternalRAM写数据线 线iiiram_data_out〔7:川 川工 工 InternalRAM读数据线 线下图为工 nternalRAM读写时序:re.d一rameyelewr砚e一 rameyele CIk iramenableiram「 eadnwriteiram_addr[7:01iram_data_out【7:0』iram_data_in【7:O』玲一eofe‘ead.;“ mhereIF日ml日tCheS日 ddFeSSand Controlhere-一)芡一da, aod,al:d一 ramlatchesaddress.eontrol日 ndda生 ahefe一今图2一 611飞ternalRAM读写时序(indireet方式下也采用elk上升沿抓取)12

读写时序


SFR读写时序图


本文编号:2995037

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