0.13微米闪存工艺平台开发与优化研究

发布时间：2021-01-29 08:11

　　近些年来,随着家用电器、个人电脑、照相机以及智能掌上移动设备等产品的快速增长,IC产业几乎融入了人们生活的方方面面。其中不挥发存储器因为具有断电下可靠的数据保持性能,得到了飞速的发展。进入21世纪以来,随着制造工艺的不断革新,不挥发存储器的存储容量已经突破了千兆大关,其市场占有率接近半导体产业的半边天。作为不挥发存储器家族中的佼佼者,闪存（Flash）存储器可谓如日中天,从几万字节的NOR型flash到几十千兆字节的NAND型flash,产品种类可谓琳琅满目,大有一统存储器天下之势。本人有幸参加了0.13微米NOR flash工艺库开发的整个过程,结合工作实践,对其工艺平台的开发作了全方面且有针对性研究。首先,文章概述了不挥发存储器的发展史以及种类,通过各种存储器结构、特性的比较,明确0.13微米NOR flash的开发的方向。接着从器件结构入手,通过物理结构与等效电容模型来量化分析器件的特性；同时通过从原理上解析flash常用的两种编程、擦除工作机制来讨论0.13微米NOR flash器件的工作模式与性质,从而定义出工艺平台开发的目标与验证标准。工艺平台的建立与优化是文章的重点。在以... 

【文章来源】：复旦大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：56 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 引言
    1.1 不挥发存储器的概述
        1.1.1 存储器与不挥发存储器
        1.1.2 存储器的分类
        1.1.3 非挥发存储器的特性
    1.2 闪存存储器的种类
        1.2.1 NOR型闪存存储器
        1.2.2 NAND型闪存存储器
        1.2.3 NOR与NAND型存储器的比较
        1.2.4 0.13微米NOR Flash的的构架
第二章 不挥发存储器器件结构与原理
    2.1 不挥发存储器的结构
        2.1.1 浮栅存储器的结构
        2.1.2 电荷俘获型存储器的结构
    2.2 不挥发存储器的工作方式
        2.2.1 不挥发存储器工作原理
        2.2.2 不挥发存储器工作的机制
    2.3 0.13微米NOR Flash器件的结构与特性
        2.3.1 0.13微米flash器件沿位线方向的结构
        2.3.2 沿沟道宽度方向的结构
        2.3.3 器件的主要特性
第三章 0.13微米Flash工艺平台的开发
    3.1 设计规则的制定
        3.1.1 外围电路的设计规则
        3.1.2 存储单元的设计规则
        3.1.3 边界的设计规则
    3.2 工艺流程的建立
        3.2.1 主工艺流程顺序的设计
        3.2.2 各流程间的相互影响及改善
第四章 工艺平台的优化与可靠性
    4.1 0.13微米flash工艺的优化
        4.1.1 隧道氧化层生长条件的优化
        4.1.2 隧道氧化层形貌的优化
        4.1.3 接触孔与叠栅的交叠误差优化
    4.2 0.13微米flash工艺的可靠性
第五章 总结与展望
参考文献
致谢



本文编号：3006569