3D NAND闪存错误特征及其应用研究

发布时间：2021-02-11 10:21

　　NAND闪存是一种非易失性的存储介质,由于其读取速度快、抗震性好、功耗小、噪声低等优良的特性,迅速代替传统的磁存储介质,并广泛应用于存储解决方案中。随着半导体工艺的水平的迅速提升,使NAND闪存的存储密度迅速提升,虽然NAND闪存的性价比也因此大幅度提升,但是也导致NAND闪存的可靠性不可避免的降低,同时会带来读性能的下降。因此,研究并解决NAND闪存的可靠性问题,是十分有意义的。分析NAND闪存的组织结构、存储原理和基本操作机制。在硬件测试板的基础上,设计软件逻辑,实现一个NAND闪存的测试平台,并针对闪存的可靠性影响较大的保留错误进行测试,分析其导致闪存的阈值电压分布、物理块和物理页的错误率以及读延时的变化情况。设计并实现优化读参考电压降低闪存错误率的方案。针对阈值电压偏移导致闪存错误率上升的问题,使用最小二乘法将阈值电压分布拟合为多项式的方法,优化读参考电压。并通过实验验证,在不同的测试条件下,在物理块中每个物理页读之前,施加其优化的读参考电压,可以降低物理块的错误率。设计并实现降低物理块的读延迟的方案。针对物理块内物理页错误率上升导致物理块的读延迟增加的问题,并根据物理块内的物... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

DNAND物理块结构以及其平面阵列图

11图 2-4 擦除操作示意图作的基本单元是物理页。在对物理页的目标存储单元进行编程（GND），将顶部的选择晶体管施加电压 Vcc使其打开，并将，并在其所在的字线施加较高的电压 Vpgm,其它字线施加因为隧穿效应进入浮栅中。编程操作通常是通过 ISPP（Increming）的方法向浮栅内逐步的注入电子，通过检测存储单元的

12图 2-5 编程操作示意图作读取目标物理页时，需要在目标物理页的字线的控制栅施加读电需要施加导通电压 VpassR,，使目标单元所在串的其它存储单元作部和底部选择晶体管，在所有的位线上施加一个较小的电压，标物理页中的存储单元是否有电流传导来判断存储单元中存储

【参考文献】：
博士论文
[1]基于错误特征的NAND Flash存储策略研究[D]. 魏德宝.哈尔滨工业大学 2016



本文编号：3028952