基于碲化铋的纳米复合材料阻变特性研究

发布时间：2021-02-11 13:04

　　随着半导体技术和工艺的发展越来越成熟,现代信息的高速发展对数据的存储提出了进一步的要求,在集成电路的发展过程中,存储技术始终扮演着对集成电路发展非常重要的角色,而半导体存储器是电子设备最基本的元件之一。当前常见的半导体存储器按其存储特性可以分为易失性和非易失性存储器两个大类,其中易失性存储器主要有静态/动态随机存储器,非易失性存储器主要有铁电存储器、相变存储器、磁性存储器、阻变存储器、闪存等存储器。当今社会对存储器的要求不仅是更大的产量,还要求更高的数据存储密度、更快的读写速度。而在传统闪存器件达到目前物理工艺极限后,寻找新一代满足前述需求的半导体存储器是目前存储领域的热点问题。在众多的存储器候选者当中,阻变存储器拥有独特的优势而受到了众多的关注和研究,其独特的三层式结构使得阻变存储器能够采用更加简单的工艺得到更大的集成密度,这是其可能突破传统闪存的集成瓶颈的重要原因,阻变存储器还有众多优势,例如更快的读写速度、更高的数据保持性、更稳定的数据循环性、更低的能耗、与传统工艺的兼容性、与柔性衬底的结合等。因此阻变存储器已经成了存储器界的优秀候选者和研究热点,其中研究方向主要集中于阻变机制、... 

【文章来源】：湘潭大学湖南省

【文章页数】：51 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
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第1章 绪论
    1.1 引言
    1.2 阻变存储器简介
        1.2.1 常见阻变材料
    1.3 阻变存储器制备工艺
    1.4 阻变存储器常见阻变机制
        1.4.1 导电细丝模型
        1.4.2 空间电荷限制电流模型（SCLC）
        1.4.3 肖特基发射机制
        1.4.4 电子自旋模型
    1.5 选题意义和研究内容
第2章 碲化铋纳米片的制备与表征
    2.1 引言
    2.2 制备方法
    2.3 碲化铋纳米片表征与分析
        2.3.1 碲化铋纳米片扫描电镜（SEM）测试
        2.3.2 碲化铋纳米片XRD与拉曼测试
        2.3.3 原子力显微镜（AFM）测试
    2.4 小结
第3章 基于抽滤转移方法的碲化铋阻变存储器
    3.1 引言
    3.2 器件的制作
    3.3 阻变性能测试与分析
    3.4 小结
第4章 碲化铋/海藻酸钠阻变存储器
    4.1 引言
    4.2 实验部分
    4.3 结果与分析
        4.3.1 海藻酸钠阻变存储器
        4.3.2 海藻酸钠/碲化铋阻变存储器
    4.4 小结
第5章 碲化铋/PVP阻变存储器
    5.1 引言
    5.2 器件的制作
    5.3 阻变性能测试与分析
    5.4 小结
第6章 总结与展望
    6.1 总结
    6.2 展望
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文



本文编号：3029155