非易失性纳米晶存储技术研究

发布时间：2021-07-04 16:47

　　当前硅基浮栅存储器已经无法满足超高密度存储的性能要求,器件结构尺寸难以进一步缩小,同时现代信息技术的发展对器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人员对于新型非易失性半导体存储器技术的研发成为热点。文章介绍了纳米晶存储器的改进方案,探讨了提升存储器件性能的方法。 

【文章来源】：科技视界. 2019,(14)

【文章页数】：2 页

【文章目录】：
1 纳米晶存储器的改进
    1.1 金属纳米晶
    1.2 纳米晶材料与存储器件性能之间的关系
2 金属纳米晶的制备与测试
    2.1 金属纳米晶的制备
        2.1.1 快速热处理法
        2.1.2 淀积自组装法
        2.1.3 混合淀积法
        2.1.4 离子注入法
    2.2 金属纳米晶的测试
        2.2.1 C-V测试法
        2.2.2 C-t测试法
        2.2.3 G-V测试法
        2.2.4 I-V测试法
3 结束语


【参考文献】：
期刊论文
[1]非易失性纳米晶存储器的研究[J]. 窦红真.  现代工业经济和信息化. 2016(12)

博士论文
[1]金属纳米晶电荷俘获型存储单元的制备及其存储效应的研究[D]. 刘晓杰.南京大学 2014

硕士论文
[1]基于金属纳米粒子浮栅的非易失性有机薄膜晶体管存储器的研制[D]. 韩金花.吉林大学 2016
[2]新型非易失性存储器的原子层沉积技术制备及其存储性能的研究[D]. 曹正义.南京大学 2015
[3]基于自组装金属纳米晶MOS电容存储效应及其机理的研究[D]. 程佩红.浙江师范大学 2012



本文编号：3265162