氧化铜薄膜的制备及其阻变特性的研究
发布时间：2021-08-09 19:06
随着集成电路的快速发展,传统的Flash存储器面临着物理极限,因此急需寻找下一代非易失性存储器。其中阻变存储器因其结构简单、读取速度快、功耗低、与现有的CMOS工艺兼容等优点,被认为是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文首先研究了CuO薄膜的制备条件,采用射频磁控溅射的方法,通过利用不同反应条件（氧气流量为1sccm,2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm,9sccm,12sccm,15sccm）溅射了Cu氧化物薄膜,发现在氧气流量为2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,7sccm时,制备的薄膜为氧化铜薄膜,并通过X射线衍射仪、原子力显微镜等手段对所制备的薄膜进行了表征,发现在氧气流量为5sccm时,薄膜的结晶质量最好。同时研究了CuO薄膜的光学性能,发现在入射波波长为850nm时,薄膜的透过率达到最大。其次,我们研究了不同溅射压强下薄膜的结晶质量与透过率的关系,发现结晶度较好的薄膜其透过率较高,结晶度较差的薄膜其透过率较低。最后,我们研究了电极（Cu,W）和氧气流量（2sccm,3sccm,4sccm,5sccm,6sccm,...
【文章来源】：暨南大学广东省 211工程院校
【文章页数】：64 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
（a）Flash存储器的结构单元示意图（b）Flash存储器的工作原理
暨南大学硕士学位论文（高电阻态）之间切换，从而实现“1”、“0”存储的功能[17]。因为对它施加的，磁化方向就不会改变，所以磁存储器也是一种非易失性存储器。但是随着尺寸的微缩和集成度的提升，在 COMS 兼容和工艺制备上面临着新的挑战 自身的制造成本高，从而限制了 MRAM 的发展[17]。
图 1-3 PCRAM 器件的工作原理示意图[20].3 铁电存储器（FeRAM）铁电存储器（Ferroelectric RAM，简称 FeRAM）是利用铁电材料的极化特性来进行存储的。其工作原理如图 1-4 所示，在外电场的作用下，铁电材料发生极化现象。当撤去以后，铁电材料依旧存在着剩余极化电荷，且其方向与原极化方向一致，表现为滞回线特性。铁电存储器就是利用这一电滞回线特性来进行数据存储的，并且具有非失性。但铁电存储器也面临着尺寸缩小、集成度难以提高以及和传统 CMOS 工艺难容的问题[21]。
【参考文献】：
期刊论文
[1]新型阻变存储器的物理研究与产业化前景[J]. 张颖,龙世兵,刘明. 物理. 2017(10)
[2]阻变存储器发展现状[J]. 刘森,刘琦. 国防科技. 2016(06)
[3]新一代存储技术:阻变存储器[J]. 王源,贾嵩,甘学温. 北京大学学报(自然科学版). 2011(03)
[4]阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 左青云,刘明,龙世兵,王琴,胡媛,刘琦,张森,王艳,李颖弢. 微电子学. 2009(04)
[5]铁电存储器工作原理和器件结构[J]. 马良. 电子与封装. 2008(08)
[6]相变型半导体存储器研究进展[J]. 刘波,宋志棠,封松林. 物理. 2005(04)
[7]巨磁阻效应研究的最近进展[J]. 王丽丽,贾城. 哈尔滨师范大学自然科学学报. 2005(01)
[8]La0.67Ca0.33MnO3超巨磁阻多晶材料的制备及性质[J]. 麻芸,徐存英,张鹏翔,杨永安. 云南冶金. 2003(04)
[9]铁电存储器及研究进展[J]. 王华,任鸣放. 桂林电子工业学院学报. 2000(03)
博士论文
[1]CH3NH3PbI3薄膜的阻变特性与机制研究[D]. 马寒露.东北师范大学 2017
[2]新型二元氧化物阻变薄膜与器件研究[D]. 赵鸿滨.北京有色金属研究总院 2014
[3]非挥发性阻变存储器阻变机理及性能研究[D]. 杨金.安徽大学 2014
[4]新型阻变存储器材料及其电阻转变机理研究[D]. 陈超.清华大学 2013
[5]基于氧化物薄膜的光电器件及电阻转变行为研究[D]. 王晓祺.上海大学 2012
[6]基于二元金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 王艳.兰州大学 2012
[7]过渡金属氧化物阻变存储器的制备及其开关机制研究[D]. 闫小兵.南京大学 2011
[8]磁性存储器相关磁三明治材料及其应用特性研究[D]. 文岐业.电子科技大学 2005
硕士论文
[1]基于RRAM模拟电路模块的研究与设计[D]. 方聪.北京交通大学 2018
[2]基于氮化物的RRAM器件研究[D]. 郭江舟.西安电子科技大学 2017
[3]二元金属氧化物阻变存储器的制备与研究[D]. 孙树鹏.黑龙江大学 2017
[4]磁性异质结中的磁电阻效应和电致阻变效应研究[D]. 高小洋.青岛大学 2016
[5]金属掺杂氧化铜薄膜的制备与表征[D]. 伞志鹏.延边大学 2016
[6]氧化铜薄膜的制备与掺杂研究[D]. 向玉春.陕西师范大学 2016
[7]铜、锌氧化物基阻变存储器制备及性能研究[D]. 倪世明.哈尔滨工业大学 2015
[8]基于二氧化钛薄膜的阻变存储器研究[D]. 李梦瑶.东北师范大学 2015
[9]阻变存储器可靠性的研究[D]. 刘红涛.天津理工大学 2015
[10]阻变存储器操作方法的研究[D]. 王国明.天津理工大学 2015
本文编号：3332632
【文章来源】：暨南大学广东省 211工程院校
【文章页数】：64 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
（a）Flash存储器的结构单元示意图（b）Flash存储器的工作原理
暨南大学硕士学位论文（高电阻态）之间切换，从而实现“1”、“0”存储的功能[17]。因为对它施加的，磁化方向就不会改变，所以磁存储器也是一种非易失性存储器。但是随着尺寸的微缩和集成度的提升，在 COMS 兼容和工艺制备上面临着新的挑战 自身的制造成本高，从而限制了 MRAM 的发展[17]。
图 1-3 PCRAM 器件的工作原理示意图[20].3 铁电存储器（FeRAM）铁电存储器（Ferroelectric RAM，简称 FeRAM）是利用铁电材料的极化特性来进行存储的。其工作原理如图 1-4 所示，在外电场的作用下，铁电材料发生极化现象。当撤去以后，铁电材料依旧存在着剩余极化电荷，且其方向与原极化方向一致，表现为滞回线特性。铁电存储器就是利用这一电滞回线特性来进行数据存储的，并且具有非失性。但铁电存储器也面临着尺寸缩小、集成度难以提高以及和传统 CMOS 工艺难容的问题[21]。
【参考文献】：
期刊论文
[1]新型阻变存储器的物理研究与产业化前景[J]. 张颖,龙世兵,刘明. 物理. 2017(10)
[2]阻变存储器发展现状[J]. 刘森,刘琦. 国防科技. 2016(06)
[3]新一代存储技术:阻变存储器[J]. 王源,贾嵩,甘学温. 北京大学学报(自然科学版). 2011(03)
[4]阻变存储器及其集成技术研究进展[J]. 左青云,刘明,龙世兵,王琴,胡媛,刘琦,张森,王艳,李颖弢. 微电子学. 2009(04)
[5]铁电存储器工作原理和器件结构[J]. 马良. 电子与封装. 2008(08)
[6]相变型半导体存储器研究进展[J]. 刘波,宋志棠,封松林. 物理. 2005(04)
[7]巨磁阻效应研究的最近进展[J]. 王丽丽,贾城. 哈尔滨师范大学自然科学学报. 2005(01)
[8]La0.67Ca0.33MnO3超巨磁阻多晶材料的制备及性质[J]. 麻芸,徐存英,张鹏翔,杨永安. 云南冶金. 2003(04)
[9]铁电存储器及研究进展[J]. 王华,任鸣放. 桂林电子工业学院学报. 2000(03)
博士论文
[1]CH3NH3PbI3薄膜的阻变特性与机制研究[D]. 马寒露.东北师范大学 2017
[2]新型二元氧化物阻变薄膜与器件研究[D]. 赵鸿滨.北京有色金属研究总院 2014
[3]非挥发性阻变存储器阻变机理及性能研究[D]. 杨金.安徽大学 2014
[4]新型阻变存储器材料及其电阻转变机理研究[D]. 陈超.清华大学 2013
[5]基于氧化物薄膜的光电器件及电阻转变行为研究[D]. 王晓祺.上海大学 2012
[6]基于二元金属氧化物的阻变存储器研究[D]. 王艳.兰州大学 2012
[7]过渡金属氧化物阻变存储器的制备及其开关机制研究[D]. 闫小兵.南京大学 2011
[8]磁性存储器相关磁三明治材料及其应用特性研究[D]. 文岐业.电子科技大学 2005
硕士论文
[1]基于RRAM模拟电路模块的研究与设计[D]. 方聪.北京交通大学 2018
[2]基于氮化物的RRAM器件研究[D]. 郭江舟.西安电子科技大学 2017
[3]二元金属氧化物阻变存储器的制备与研究[D]. 孙树鹏.黑龙江大学 2017
[4]磁性异质结中的磁电阻效应和电致阻变效应研究[D]. 高小洋.青岛大学 2016
[5]金属掺杂氧化铜薄膜的制备与表征[D]. 伞志鹏.延边大学 2016
[6]氧化铜薄膜的制备与掺杂研究[D]. 向玉春.陕西师范大学 2016
[7]铜、锌氧化物基阻变存储器制备及性能研究[D]. 倪世明.哈尔滨工业大学 2015
[8]基于二氧化钛薄膜的阻变存储器研究[D]. 李梦瑶.东北师范大学 2015
[9]阻变存储器可靠性的研究[D]. 刘红涛.天津理工大学 2015
[10]阻变存储器操作方法的研究[D]. 王国明.天津理工大学 2015
本文编号：3332632
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