退火温度对Ag/VO x /Al阻变存储器性能的影响
发布时间：2021-08-14 03:38
阻变存储器（RRAM）是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VOx/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪（Agilent B1500A）测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性。器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流（SCLC）机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制。研究了不同退火温度（150300℃）对Ag/VOx/Al器件阻变性能的影响。研究表明,不同退火温度不仅会影响VOx薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀。适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能。
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(06)北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]Modeling of conducting bridge evolution in bipolar vanadium oxide-based resistive switching memory[J]. 张楷亮,刘凯,王芳,尹富红,韦晓莹,赵金石. Chinese Physics B. 2013(09)
[2]Analysis of the resistive switching behaviors of vanadium oxide thin film[J]. 韦晓莹,胡明,张楷亮,王芳,赵金石,苗银萍. Chinese Physics B. 2013(03)
本文编号：3341695
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(06)北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]Modeling of conducting bridge evolution in bipolar vanadium oxide-based resistive switching memory[J]. 张楷亮,刘凯,王芳,尹富红,韦晓莹,赵金石. Chinese Physics B. 2013(09)
[2]Analysis of the resistive switching behaviors of vanadium oxide thin film[J]. 韦晓莹,胡明,张楷亮,王芳,赵金石,苗银萍. Chinese Physics B. 2013(03)
本文编号：3341695
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