退火参数对铁电TiN/Hf x Zr 1-x O 2 /TiN薄膜器件的电学性能影响

发布时间：2021-08-21 16:28

　　采用磁控溅射法制备了Zr含量占比为0.134和0.156的TiN/Hf_xZr_1-xO₂/TiN结构的薄膜器件。对该器件进行了不同条件下的退火实验。研究了Hf_xZr_1-xO₂器件的电流、极化和循环特性,以及特性随退火温度和退火时间改变的变化规律,并结合微观结构表征手段,对器件特性随退火条件变化的规律做出了解释。在此基础上,总结出溅射法制备氧化铪锆薄膜的适用退火条件。实验结果表明,当退火温度低于氧化铪的居里温度时,退火后的器件仍表现出顺电性而不具有铁电性。Zr含量为0.156的Hf_xZr_1-xO₂器件在氧气中快速退火的最佳退火条件为:温度600℃、退火时间50 s。适当延长退火时间可以提高器件性能。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(02)北大核心

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【文章目录】：
0 引 言
1 实验过程
2 实验过程和结果
    2.1 退火温度对TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件电性能的影响
    2.2 退火时长对TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件电极化性能的影响
    2.3 TiN/HfxZr1-xO2/TiN器件的循环性能
3 结 论



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