Cu/SiO 2 结构单元在阻变效应中形成导电通道的模型分析

发布时间：2021-10-11 16:30

　　通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO₂结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO₂薄膜的迁移扩散和Cu离子在薄膜内引起的空间电荷效应,同时考虑了电子电导机制。模型的计算表明,薄膜的结构参数（厚度、电极功函数、掺杂等）对导电通道的形成过程有很大的影响,其临界电压随薄膜厚度和电极功函数的增加而增大,而随Cu离子掺杂浓度增大而减小。这一结果对未来存储器件的性能设计和制造具有一定的指导意义。 

【文章来源】：科学技术与工程. 2017,17(09)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
1 基本模型
2 结果与讨论
    2.1 薄膜的Cu离子浓度和电场强度分布
    2.2 薄膜厚度对临界电压的影响
    2.3 电极功函数对临界电压的影响
    2.4 Cu离子掺杂对临界电压的影响
3 结论



本文编号：3430870