基于V93000的异步双端口静态存储器测试研究

发布时间：2021-10-18 14:21

　　随着计算机应用领域的不断发展,处理的信息量越来越多,对存储器的工作速度和容量要求也越来越高,异步双端口静态存储器在高速多处理系统中广泛应用。因此,研究异步双端口静态存储器测试具有十分重要意义。该文以IDT公司的IDT70V631S高速256K*18异步双端口静态存储器器件为例,介绍了异步双端口静态存储器的基本工作原理,阐述了基于V93000测试系统的MTP软件生成测试向量的方法,从而更高效、简便地对异步双端口静态存储器进行评价。 

【文章来源】：电子质量. 2020,(10)

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IDT70V631S器件是一款异步双端口静态存储器器件，它具有两组相互独立的读写控制线路，实现了对内存任何地址独立的、异步的读写。IDT70V631S器件由存储单元和每个端口独立的地址译码器、读写时序控制电路、仲裁控制电路等组成，并通过两条地址线、两条数据线、两条读写线、两条芯片使能线和电源线与外部连接。其中每个端口都可以有只读端口、只写端口或读写端口。存储单元的端口为双向读写端口时，可以同时对该存储单元进行读操作、写操作或读写操作，比单向读写端口更加复杂，IDT70V631S功能框图如图1所示。1.2 读写功能工作原理

程序文件采用C＿like的MTL程序语言来编写存储器测试的各种测试向量。如果要实现全地址的全0码、全1码、55AA码、AA55码等测试码就可以在程序文件中利用for循环语句、IF判断语句使相应位置置0、置1。程序文件如图3所示。2.3 器件存取文件(.dvac)

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于V93000系统的高速QDR SRAM存储器测试方法[J]. 王征宇,马锡春.  电子质量. 2019(12)
[2]爱德万测试V93000和T200[J]. 叶雷.  电子产品世界. 2015(10)
[3]SRAM存储器动态参数测试向量分析[J]. 张吉,罗喜明,王军,唐力,张一波.  电子与封装. 2015(05)
[4]双端口静态存储器测试方法研究[J]. 李盛杰,张碚,顾颖.  计算机与数字工程. 2015(01)
[5]IC测试原理-存储器和逻辑芯片的测试[J]. 许伟达.  半导体技术. 2006(05)



本文编号：3442952