基于聚合物包裹C 60 的有机场效应晶体管多位存储器的研究
发布时间:2021-10-21 13:38
信息爆炸的时代人们日常生活中产生的电子信息日益增长,对计算机、手机等电子产品的性能要求越来越高,对信息存储设备的尺寸、容量、稳定性、速度等的要求也越来越高,未来的电子信息设备会逐步朝着可穿戴方向发展,所以发展基于有机材料的电子器件是有前景的方向。本论文主要研究有机场效应晶体管存储器,基于有机聚合物材料掺杂有机半导体小分子材料作为存储层,分析目前相关领域的研究进展,采用浮栅型的结构作为主要研究对象,分析目前制备浮栅型器件过程中需要制备多层,工艺复杂且不易控制,决定采用掺杂的方法,一步旋涂制备存储层。制备的有机场效应晶体管存储器载流子迁移率达到0.3 cm2/Vs以上,并且具备105的存储窗口,很好的稳定性和耐受性,在10000 s维持稳定性测试后,电流衰减在一个数量级以内,30次读写擦循环测试后几乎没有衰减。基于合适的聚合物与半导体小分子掺杂浓度制备的存储层,又测试了其多位存储的性能,器件具有较大的存储窗口和存储电流开关比,得到稳定的四个工作状态,并且每个工作状态的电流之间相隔一个数量级,各工作状态的维持稳定性在10000 s的测试过后依然拥有一个数量级,三个写入状态和初始状态之间来回切...
【文章来源】:南京邮电大学江苏省
【文章页数】:57 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.1.1 有机电子学概述
1.1.2 有机半导体存储器件
1.2 有机场效应晶体管
1.2.1 有机场效应晶体管的器件结构和工作原理
1.2.2 有机场效应晶体管的特征曲线和性能参数
1.2.3 有机场效应晶体管相关的材料
1.3 本章小结
第二章 有机场效应晶体管存储器研究背景
2.1 有机场效应晶体管存储器介绍及发展
2.1.1 有机场效应晶体管存储器的工作原理和性能参数
2.1.2 有机场效应晶体管存储器分类
2.2 有机场效应晶体管多位存储器介绍及发展
2.2.1 研究意义
2.2.2 研究现状及挑战
2.2.3 应用前景
2.3 本章小结
第三章 纳米形貌对浮栅型存储器的影响
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 器件制备部分
3.2.2 器件表征部分
3.3 结果与讨论
3.3.1 薄膜特性
3.3.2 电学特性及讨论
3.4 本章小结
第四章 基于PS包裹C_(60)的有机场效应晶体管多位存储器的研究
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 器件制备部分
4.2.2 器件表征部分
4.3 结果与讨论
4.3.1 薄膜特性及元素分析
4.3.2 电学性能分析及存储机理讨论
4.4 本章小结
第五章 低电压有机场效应晶体管的研究
5.1 引言
5.2 实验部分
5.2.1 器件制备部分
5.2.2 器件表征部分
5.3 结果与讨论
5.3.1 薄膜形貌
5.3.2 电学性能表征
5.4 本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展[J]. 柴玉华,郭玉秀,卞伟,李雯,杨涛,仪明东,范曲立,解令海,黄维. 物理学报. 2014(02)
本文编号:3449090
【文章来源】:南京邮电大学江苏省
【文章页数】:57 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.1.1 有机电子学概述
1.1.2 有机半导体存储器件
1.2 有机场效应晶体管
1.2.1 有机场效应晶体管的器件结构和工作原理
1.2.2 有机场效应晶体管的特征曲线和性能参数
1.2.3 有机场效应晶体管相关的材料
1.3 本章小结
第二章 有机场效应晶体管存储器研究背景
2.1 有机场效应晶体管存储器介绍及发展
2.1.1 有机场效应晶体管存储器的工作原理和性能参数
2.1.2 有机场效应晶体管存储器分类
2.2 有机场效应晶体管多位存储器介绍及发展
2.2.1 研究意义
2.2.2 研究现状及挑战
2.2.3 应用前景
2.3 本章小结
第三章 纳米形貌对浮栅型存储器的影响
3.1 引言
3.2 实验部分
3.2.1 器件制备部分
3.2.2 器件表征部分
3.3 结果与讨论
3.3.1 薄膜特性
3.3.2 电学特性及讨论
3.4 本章小结
第四章 基于PS包裹C_(60)的有机场效应晶体管多位存储器的研究
4.1 引言
4.2 实验部分
4.2.1 器件制备部分
4.2.2 器件表征部分
4.3 结果与讨论
4.3.1 薄膜特性及元素分析
4.3.2 电学性能分析及存储机理讨论
4.4 本章小结
第五章 低电压有机场效应晶体管的研究
5.1 引言
5.2 实验部分
5.2.1 器件制备部分
5.2.2 器件表征部分
5.3 结果与讨论
5.3.1 薄膜形貌
5.3.2 电学性能表征
5.4 本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利
附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目
致谢
【参考文献】:
期刊论文
[1]柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展[J]. 柴玉华,郭玉秀,卞伟,李雯,杨涛,仪明东,范曲立,解令海,黄维. 物理学报. 2014(02)
本文编号:3449090
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