借助虚拟工艺加速工艺优化

发布时间：2021-10-31 15:09

　　<正>我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型,导致半导体器件结构的日益复杂化。例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现,在保持平面缩放比例恒定的情况下,这带来了更高深宽比图形刻蚀工艺上的挑战,同时将更多的阶梯连接出来也更加困难。人们通过独特的整合和图案设计方案来解决工艺微缩带来的挑战,但又引入了设计规则方面的难题。 

【文章来源】：电子工业专用设备. 2020,49(04)

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

图１电容器接触点諸果带意＇图??＇滕器接触点??４添加重要度量??ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ支持添加两种几何测量备第一种??

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数可以通过器件电学性能??模拟来提龋通过使用与图２相同的橈型，该演示??可以在ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ中进行器件电莩仿真，??阁３所示为ＳＥＭｕｌａｔｏｒ３Ｄ可祺别３Ｄ结构中??的器件端口，弁像ＴＣＡＤ中那样仿＊电学性能．，??但不需要进行耗时的ＴＣＡＤ建模。??该软件有助于识别３Ｄ结构中器件的端口和??电极，并模拟器件的特性，如温度、带隙和电子／??孔迁移率。该软件允许手动和自动识别节点（一个??或多个连接＃一起的■脚初賴电压或电流霄以??与选定节点的电麗扫插一起设ｇｙ??图３中的电学仿真示例显，示了两个栅极、两个??源１?一个漏．和一个衬底？工程师可以＿由设置偏黧??电压或初始电压以及电压扫描，如ＤＲＡＭ示例偏??：鹭电＿所示。??然后：Ｘ程师可以使用该软件自动提取重要??电学性能指标，如一个电压点上的阈值电压（４）、??亚＿值摆幅（ＳＳ）、漏致势鼙下降（Ａａ）和开＇启电??流（／Ｍ）。这些功能无需耗时和严格的ＴＣＡＤ建模??即可实现，同时可以体现３Ｄ工苦变化对电学性??能的＿＿：晌》??ＤＲＡＭ雜偏賃??节点名称??端口??初始电压／Ｖ??电压扫描／Ｖ??漏极节点??Ｄｒａｉｎ?１??０??０－１．１??源极节点??Ｓｏｕｒｃｅｌ??０??无，固定??栅极节点??ＮＧａｔｅ２??０??０？３??衬底??Ｓｕｂ??０??－０．８?？０．４??ＳＳ２??Ｓｏｕｒｃｅ２??０??无，固定??ＮＧａｔｅ２??ＮＧａｔｅ２??－０．１??无，固定??１Ｅ－０３「??电压扫描：??Ｆｄ、Ｆｓｕｂ，然启是??ｉｄｖｇ＠ｖｄ＝＼．ｉ?ｖ??ＩＥ－０５＇?产，－??ＩＥ－０７＇?／??■?１Ｅ－０９＾


本文编号：3468361