多通道NANDFlash控制器的设计

发布时间：2023-08-11 16:07

　　采用NAND Flash作为存储介质的固态盘,比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击,可靠性更高,易于实现高速度大容量的存储,日趋成为存储器的主流。 由于NAND Flash接口相对较为复杂,需要通过专用的控制器对NAND Flash进行读写控制等操作。通过设计一个软硬件结合NAND Flash控制器,使用软件实现命令和地址发送,而逻辑时序及数据传输则由硬件完成,从而将复杂的NAND Flash接口转化为简单通用的标准总线接口,实现了总线与NAND Flash的桥接;并通过研究Flash阵列的架构,实现了多通道的NAND Flash控制器。 多通道的NAND Flash控制器中,多个通道可以并发工作,每个通道内部使用流水线操作。在通道内部,当一片Flash进行器件编程时,对其他Flash芯片执行读写操作,在时间上实现通道内数据总线的复用,缩短Flash阵列的等效操作时间,最大限度的减少单个芯片占用总线时间,使得整体Flash阵列读写速度得到提升。同时在通道间,使用并行传输技术,各通道之间相互独立、互不影响,多个通道并发执行读写操作,从而实现了速度和容量的提升。 在实际的仿...

【文章页数】：69 页

【学位级别】：硕士

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摘要
Abstract
1 绪论
    1.1 固态硬盘的特点和分类
    1.2 基于DRAM 的固态盘存储
    1.3 基于Flash 的固态盘存储
    1.4 国内外研究现状
    1.5 本文研究的主要内容
    1.6 本文的组织结构
2 NAND Flash 技术
    2.1 典型NAND Flash 芯片
    2.2 NAND Flash 的操作时序
    2.3 NAND Flash 的数据校验
    2.4 本章小结
3 NAND Flash 控制器的设计
    3.1 设计开发平台
    3.2 控制器的软硬件划分
    3.3 NAND Flash 控制器的模块设计
    3.4 本章小结
4 多通道存储阵列
    4.1 NAND Flash 阵列的操作
    4.2 多通道Flash 阵列架构分析
    4.3 多通道Flash 阵列架构
    4.4 本章小结
5 仿真与测试
    5.1 多通道Flash 阵列架构的仿真
    5.2 NAND Flash 单个die 的测试
    5.3 多通道Flash 阵列的测试
    5.4 本章小结
6 全文总结与展望
致谢
参考文献



本文编号：3841347