40nm高速SRAM设计关键技术研究

发布时间：2024-11-02 18:53

　　随着科技的快速发展,对集成电路芯片性能的要求也越来越高,然而目前主流存储器性能的提升跟不上主流CPU（Central Processing Unit）的性能提升速度,制约了芯片的整体速度水平。SRAM（Static Random-Access Memory）作为主流高速缓存,对其进行研究有助于消除两者差距。本文从实际应用出发,分别在存储单元、译码电路以及灵敏放大器三个方面对高速SRAM进行研究。对存储单元尺寸进行研究,分析了不同单元比和上拉比对存储单元性能的影响。对译码电路进行研究,利用实验设计方法证明了3/3两级译码作为此次译码方式的优越性,并通过逻辑努力优化方法,对译码电路各级尺寸进一步优化,显著提升了译码效率。对SA（Sense Amplifier）使能产生方式进行研究,针对因设计裕量不足或过大引起的放大失败或是高能耗问题,提出了一款结合复制存储单元模拟位线和字线延时和具有反馈结构的新型SA,使SA在最佳时刻开启和关闭,有效的提升了SRAM的稳定性和放大效率。本文主要成果如下:（1）针对存储单元设计存在的读写失败问题,通过Cadence公司的Virtuoso软件搭建实验电路,分析了...

【文章页数】：84 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图1.1CPU与存储器发展不协调所产生的存储墙现象示意图C(SystemonChip)作为更优的芯片设计方案，已被广大芯作为SOC的一个重要组成部分[2],它在SOC中所占比重出，SRAM在SOC中所占的比重在逐年增大，从1999%，增长了近五成。随着....

西安电子科技大学硕士学位论文2图1.2历年来SRAM占SOC面积比重图1.2国内外研究现状在一个完整的集成电路产品中，无论是子芯片之间的信息交互还是对数据的存储，都离不开存储器。自存储器诞生之日起，人们就从未停止过对存储领域的探索。而国内外研究者主要针对SRAM....

图1.3DG-MOSFET结构图年Synopsys公司的VinayKumar，RavindraKumarShrivastava以adaliya三人共同提出了一种基于7nmFin-FET工艺，使用温控、高密度、低最小工作电压的六管SRAM存储单元[7....

图1.3DG-MOSFET结构图2018年Synopsys公司的VinayKumar，RavindraKumarShrivastava以及MadhavMansukhPadaliya三人共同提出了一种基于7nmFin-FET工艺，使用温控读辅助电路....

本文编号：4009977