基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

发布时间：2017-06-07 07:41

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【摘要】：非易失性存储器(NVM)主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM(动态随机存储器),持久性内存如PCM(相变存储器)、RRAM(阻变存储器)等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。
【作者单位】： 清华大学计算机科学与技术系;
【关键词】： 非易失性存储器 闪存 持久性内存 存储系统
【基金】：国家自然科学基金项目(61327902,61232003) 北京市科委项目(D151100000815003)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 近年来,非易失性存储器(nonvolatile memory,NVM)技术得到了快速发展。非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。以闪存(flash memory)为代表的块寻址非易失性存储器已经广泛应用于嵌入式系统、桌面系统及数据中心等系统中。字节寻址的非易失性存储器主要包括相变存储器(

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