MTM非晶硅反熔丝导通电阻

发布时间：2017-06-08 05:10

  本文关键词：MTM非晶硅反熔丝导通电阻，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：分析了现场可编程门阵列(FPGA)和可编程存储器(PROM)中广泛使用的MTM(metal-to-metal)反熔丝结构,测量了决定FPGA和PROM传输延迟的反熔丝编程后导通电阻,给出了编程电流对导通电阻的决定规律.结合MTM非晶硅反熔丝的特征电压模型,确定了TiN/α-Si/TiN结构反熔丝的特征电压值.对大量样品的实际测量结果,并且对实验数据进行拟合,实验结果表明,实验特征电压值接近模型理论值,可通过控制编程电流对编程后电阻的进行调控.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
【关键词】： 电流编程 导通电阻 MTM 非晶硅 反熔丝
【分类号】：TN791;TP333
【正文快照】： 1引言反熔丝是一种非常重要的可编程互连单元.MTM(metal-to-metal)反熔丝已被广泛地应用于现场可编程门阵列(FPGA)和可编程存储器(PROM)中[1-2].在具体集成电路中,反熔丝单元位于顶层金属N层和N-1层金属之间,反熔丝在编程之前是处于关断状态的,通过编程电流对反熔丝进行编程,

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