最高密度4Mb可变电阻式存储器

发布时间：2017-06-10 09:10

  本文关键词：最高密度4Mb可变电阻式存储器，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：正4Mb ReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品,实现了目前业内的最高密度。此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备。ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及
【关键词】： 电阻式;读写速度;随机存取;首款;非易失性内存;松下电器;医疗设备;EEPROM;穿戴式;存储芯片;
【分类号】：TP333
【正文快照】： 4Mb ReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT是富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品,实现了目前业内的最氋密度。此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要氋密度且低功耗的电子设备。■?*. R e R A M是基于电阻式随

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 陆楠;;片上开发闪存MCU和电阻式多点触控方案[J];电子设计技术;2010年06期

  本文关键词：最高密度4Mb可变电阻式存储器，由笔耕文化传播整理发布。

，

本文编号：437954