抗辐射SRAM测试系统的设计与实现

发布时间：2017-06-15 06:01

  本文关键词：抗辐射SRAM测试系统的设计与实现，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：本文搭建了一种测试SRAM芯片耐电离辐射能力的系统。该系统可确定SRAM芯片在辐射环境下的最大抗总剂量率,也可为评价SRAM芯片的单粒子效应敏感性提供数据。该系统支持远程数据传输,可实时监测sram芯片的功耗,也可实时判断sram芯片读写功能正确与否。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第三十八研究所;
【关键词】： SRAM 抗辐射 BW FPGA
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1引言随着信息技术及其产业的迅速发展,对于电子系统的微电子器件,除了一般的高可靠性要求外,部分军事电子系统或航空航天电子系统不可避免地还需要具有抗辐射能力。静态随机存储器作为半导体存储器大家族的主要成员,是数字处理、信息处理、自动控制设备中不可缺少的部件。随

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本文编号：451590