原子晶体非易失存储

发布时间：2017-08-05 19:00

  本文关键词：原子晶体非易失存储

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【摘要】：多功能低功耗芯片中存储、计算与通讯功能各模块的占用面积、数据交换速率等因素已经成为集成电路发展的瓶颈问题.可满足大数据核内传输速率的未来系统架构中高密度高性能存储技术需具备超低功耗、超小器件尺寸以及快速写入及非易失特性.未来存储技术包括采用新原理器件例如操控电子跃迁或离子移动代替电子输运、使用新材料以降低热量产生以及新型三维堆叠工艺提高密度.本综述聚焦于新材料特别是二维原子晶体在非易失存储技术中的应用.具有高电子迁移率、极限超薄沟道、超低界面态的二维原子晶体新材料因为其本征厚度约0.6 1.2 nm并具有丰富的能带结构为未来存储技术提供了优秀的解决方案,对器件进一步微缩提高集成度、提高稳定性和扩大应用场景以及开发新型存储器有着巨大潜力,是解决当今存储器功耗和集成度的崭新途径.
【作者单位】： 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室;
【关键词】： 原子晶体 二维原子晶体 非易失存储器 闪存 阻变存储器
【基金】：国家自然科学基金资助项目(编号:61376093)
【分类号】：O73;TP333
【正文快照】： 1引言 1.1存储技术在集成电路发展中的困境 集成电路中器件的功耗增加已经成为电子学应用的最大瓶颈.集成度的提高之所以既能够带来性能的提高又能带来功耗的降低,是因为晶体管的微缩是按照1974年Dennard提出的等比例缩小原则[1,2]进行的.按照等比例缩小原则,相比于上一代,

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本文编号：626418