不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响

发布时间：2017-08-25 00:35

  本文关键词：不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响

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【摘要】：通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成功率提高、烘烤失效率降低,进一步增加脉宽,烘烤失效率大大增加。通过比较不同工艺,发现在烘烤失效率降低时的脉宽条件(1 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率高;而在烘烤失效率增加时的脉宽条件(10 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率低。研究结果为设计RRAM单元操作算法提供了优化方向,同时通过对不同条件下RRAM单元可靠性的比较,优化了工艺配方。
【作者单位】： 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
【关键词】： 氧化铝/氧化钨 阻变存储器(RRAM) 形成算法 可靠性 阻变机制 工艺优化
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032902)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 0引言随着集成电路缩微技术的发展,传统的非挥发存储器如美光推出的基于16 nm的闪存[1]以及改进型的硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon,SONOS)[2]等都面临操作电压大、可微缩性能差等一系列技术瓶颈。而阻变存储器(resistance random acces

【相似文献】

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1 J.W.Ireland;D.L.Fresh;徐士耕;;薄膜整体电子学可靠性[J];电子计算机动态;1965年07期

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本文编号：734063