一种解决半选择单元干扰问题的SRAM设计方案

发布时间：2017-08-26 19:49

  本文关键词：一种解决半选择单元干扰问题的SRAM设计方案

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【摘要】：半选择单元的干扰问题是SRAM工作电压无法随工艺微缩持续降低的主要原因,同时,作为常用写稳定性帮助策略和提高读写速度的策略,PWB中字线增强时间点对半选择单元干扰问题的影响非常值得关注.本文深入分析了半选择单元干扰问题的电路机理和PWB稳定性策略,提出了一种基于交叉耦合PMOS管的HFPWB创新方案,在避免了半选择单元干扰问题的同时,给出了字线增强的具体时间点.仿真结果表明本文提出的电路结构可以同时提高全选单元和半选择单元的稳定性,并可以提高读速度达17.1%.
【作者单位】： 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室;
【关键词】： 静态随机存储器 半选择单元 干扰 字线增强 写稳定性
【分类号】：TP333
【正文快照】： 静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)由于其高速读写特性,一直作为与微处理器的高速缓存(cache)以及直接与各种嵌入式系统通讯的存储器.由于SRAM与互补金属氧化物半导体存储(Complementary Motal-Oxide Semiconductor,CMOS)逻辑工艺完全兼容,无需要增加额外的工

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1 张元安;;256KbCMOS模拟SRAM[J];电子技术;1987年10期

2 ;[J];;年期

，

本文编号：742640