采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真

发布时间：2017-09-15 00:21

  本文关键词：采用最优化专有TCAD引擎加速DRAM存储单元仿真

  更多相关文章： 存储单元 TCAD 工艺步骤 现有设施 晶闸管 最优化 代工厂 垂直分层 静态特性 晶圆厂

【摘要】：正Kilopass研发出了一种全新的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM单元,其特性可支持它作为DRAM存储单元。这种存储单元具有静态特性,不需要进行刷新操作,这样一来与传统DRAM相比,极大地简化了电路结构。VLT存储单元完全可由现有的材料与设备来制造。对目前的DRAM制造商来说,制造VLT时所需的所有工艺步骤都是制造传统DRAM时所包含的步骤。其他代工厂可以根据现有设施和材料使用一些新的工艺步骤。
【作者单位】： Kilopass科技有限公司;
【关键词】： 存储单元;TCAD;工艺步骤;现有设施;晶闸管;最优化;代工厂;垂直分层;静态特性;晶圆厂;
【分类号】：TP333
【正文快照】： Kilo pass研发出了一种全新的VLT存储单元 预埋的字线可由DRAM晶圆加工垂直分层晶闸管(Vertical Layered VLT存储单元由垂直分布的晶厂轻松实现,因为传统的DRAM技术Thyristor,VLT)SRAM单元,其特闸管(又称半导体控制整流器,或就使用了一条预埋的字线。这些特性性可支持它作为DR

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本文编号：853206