非易失性存储发展现状及展望

发布时间：2017-09-18 15:00

  本文关键词：非易失性存储发展现状及展望

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【摘要】：很多存储系统的写操作程序中,内存作为控制器和硬盘之间的重要桥梁,提供更快速的性能,但是如果发生突然间断电的情况,如何保护内存中的数据不丢失,这是存储系统中老生常谈的议题。该文介绍了锂电池和NVDIMM在非易失性存储系统中的应用及优缺点,在该基础上引出了新型的非易失性存储器件忆阻器。忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,在非易失性存储领域具有重要的应用前景。文中综述了非易失性存储技术的研究进展,指出了目前忆阻器的主要研究方向,并对今后的发展趋势进行了展望。
【作者单位】： 捷普科技(上海)有限公司;
【关键词】： 非易失性存储 忆阻器 锂电池 超级电容 NVDIMM
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1背景介绍各种规模的企业都在经历着数据量的爆炸性增长,互联网、电子邮件、各种应用软件的出现,产生了大量的数据,导致了数据量呈现出了巨大的增长态势。据IDC 2002年10月的保守估计,数据每年大约增加80%,数据正日益成为公司的实际资产之一,因而对于任何组织来说,丢失数据都

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本文编号：876195