强流脉冲离子束辐照316L不锈钢结构及性能研究

发布时间：2020-11-21 20:40

　　 强流脉冲离子束(High-Intensity Pulsed Ion Beam—HIPIB)技术起源于20世纪70年代末期的惯性约束核聚变和高能密度物理研究。近年来，它作为一种新型的材料载能束表面改性技术，受到了广大材料科学工作者的广泛关注。鉴于HIPIB技术在材料表面工程领域的应用研究尚处于初级阶段，并且金属材料表面辐照改性是目前HIPIB技术在材料表面工程应用研究中的一个热点问题，本文系统研究了不同参数的HIPIB辐照对316L不锈钢表面结构、表面性能及基体力学性能的影响，旨在揭示其变化的本质原因，并探索合适的辐照参数，进而为其它材料的改性提供参考。 利用TEMP-6型HIPIB装置，采用聚合物阳极的单极脉冲模式外磁绝缘离子二极管产生由70％的H离子和30％的C离子组成的加速电压为300 kV，束流密度为100、200和300 A／cm~2(波动不超过20％)，脉冲宽度为75 ns的强流脉冲离子束，分别辐照316L不锈钢1、5、10次。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和电子探针(EPMA)观察表面形貌、鉴定表面层相组成和微观组织结构及分析表面元素分布变化。对辐照前、后样品，分别进行显微硬度测量，摩擦磨损、氧化、电化学腐蚀、抗疲劳及高温蠕变实验。结合表面结构的变化，研究不同辐照参数对上述各种性能的影响规律，探讨其改性机理，并确定了针对316L不锈钢各性能的最佳辐照改性条件。 SEM观察结果表明，316L不锈钢表面经HIPIB辐照后随辐照强度的增大或辐照次数的增加均呈现出光滑化趋势。烧蚀坑面积对束流密度的变化敏感，其数量则受辐照次数变化的影响更加显著。采用一维非稳态热传导模型对试样最外表面温度进行了估算，发现HIPIB处理会将316L表面快速加热至其熔点甚至沸点温度，导致原始表面机械磨痕熔化、发生选择烧蚀和液滴喷射。XRD结果显示，辐照处理后316L表面无新相生成，但由于辐照引起的大温度梯度和高应力，导致试样表面层形成了择优取向，且这种趋势随束流密度的增大或辐照次数的增加越发显著。TEM观察发现，试样表面熔化层形成了非晶结构和纳米马氏体，在热激波、压缩应力波和C离子注入的共同作用下，熔化层以下的热影响区内形成了大量位错亚结构和孪晶。根据EPMA分析结果提出了一种新的烧蚀坑形成机制，316L表面层中包含强挥发性S元素的MnS夹杂在辐照瞬间发生了低熔点元素的选择性烧蚀，形成以原始MnS夹杂为中心的烧蚀坑。 显微硬度测量结果显示，由于试样表面形成了非晶和纳米晶结构，近表层产生了大量位错胞和孪晶等亚结构，导致HIPIB辐照处理后的316L不锈钢表面层显微硬度有所提高，且沿截面都出现了微硬度双峰的现象。相同次数(10次)辐照后，表面硬度及截面硬度最大值均出现在束流密度为200A／cm~2的样品上；相同辐照强度下(200A／cm~2)，试样表面显微硬度和截面显微硬度最大值均随辐照次数的增加而逐渐增大。由于样品表面的光滑化和显微硬度的提高，不同参数的HIPIB辐照处理均使316L不锈钢的表面摩擦系数降低，磨损量减少。试样表面耐磨性与硬度值保持了很好的对应关系，其中，200A／cm~2 10次辐照后试样的表面耐磨性最好。 HIPIB中30％的C离子注入后，在氧化温度下将占用样品表层中大量的Cr去生成碳化物，从而导致316L表面贫铬，优先发生了铁的氧化，抗高温氧化性能随辐照强度的增大或辐照次数的增加急剧下降。700℃氧化100h后，原始试样氧化程度轻微，表面生成了致密的Cr_2O_3保护膜，冷却过程中没有出现剥落迹象；低束流密度和辐照次数少的试样表面生成了瘤节状Fe_2O_3，剥落现象轻微；高束流密度和辐照次数多的样品表面生成了由Fe_2O_3和Cr_2O_3交替构成的氧化层，剥落现象严重。在表面光滑化、表面层非晶化和晶粒细化以及杂质元素选择性烧蚀的共同作用下，HIPIB辐照处理显著提高了316L不锈钢在0.5mol／L的H_2SO_4溶液中的电化学腐蚀性能，且辐照强度变化对自腐蚀电位的影响更加显著，而自腐蚀电流密度则对辐照次数变化更加敏感。 疲劳和蠕变实验结果均说明，中、低强度的HIPIB辐照处理后，316L不锈钢试样表面的光滑化、表面层的非晶化和晶粒细化以及大量位错亚结构的形成，起到了阻碍位错运动、抑制表面裂纹产生和阻止裂纹扩展的作用，从而提高了其室温疲劳寿命，改善了其高温蠕变性能。与硬度测量结果一样，辐照相同次数(10次)后疲劳和蠕变断裂寿命的最大值也都没有出现在辐照强度最强的样品上，这不仅源于过高的辐照强度会引起试样表面剧烈的沸腾和蒸发，使改性层所剩无几，同时还在于高束流密度条件下样品表面大多数烧蚀坑中心会形成微裂纹，作为裂纹源将直接导致材料室温抗疲劳性能和高温蠕变性能的下降。在相同束流密度条件下(200A／cm~2)，辐照后试样的疲劳、蠕变断裂寿命和稳态蠕变速率均随辐照次数的增加呈现抛物线式的变化规律。
【学位单位】：大连理工大学
【学位级别】：博士
【学位年份】：2007
【中图分类】：TG142.15
【部分图文】：

大连理工大学博士学位论文器作在美国洛斯阿拉莫斯国家实验室，该设备所)，在阳极粘上合成树脂，依靠在树脂上的电金属锥体之间的350kV的电压来加速，引出束围绕在阴极锥周围的脉冲电磁场所抑制，电子直的磁场交叉场(ExB)的作用而受到约束，到35okev。束斑大于loocmZ，脉冲宽度为40

图1.12cHAMP加速器外磁绝缘离子二极管(a)结构示意图;伪)电路喷嘴;2一高压;3一气动阀;4一磁流面;5一阴极锥面;6一分离线圈;电压;9一四个平行网之一;10一充气阀激励线圈:n一二极管;12一全:14一快速触发;15一气体触发;16一双向脉冲变压器;17一调制能量恢18一110VAC功率输出;19一等离子体诱导线圈Fig.1.12Extemal一magnetiefieldMID叩pliedinCHAMPaCCelerator(a)thesehematiedravnng;(b)theeleetriealsystemdesign一GaSnozzle;2一Highvoltage;3一P哎valve;4一Magnetiefluxsurf’aees;5一Cathode6一Insulatingfieldeoils;7一Brake一owtube;8一Veh雌e;9一Oneof4Parallelnetwctioneoil&Puffvalvemodul川泊rs;11一Diode;12一All“0K’’;13一Hotdeek;14一F15一Gastng;16一B近larPulsetransformer;17一Magneteoilmodulatorenergyree18一110VACPowerinput;19一Plasmainductioneoil

图1.13ETIGO一11型HIPIB装置结构示意图Fig，1.13ThesehematlcdrawingofETIGO一11HIPIBaPParatus图1.14给出了ETIGO一n型HIPIB装置外磁绝缘离子二极管结构图。阳极基体为金属铝，阴极为不锈钢材料，阳极工作区采用曲率半径为巧cm的凹球面结构以达到离子束几何聚焦目的。阳极聚合物同样采用低密度聚乙烯膜并包覆于阳极表面，聚乙烯膜表面随机分布几个通孔或者无通孔。当高压脉冲传输到二极管时，导致聚合物阳极表面击穿(闪络)而形成阳极等离子体，离子在二极管间隙中被加速，从阴极栅格中引出。ETIGO一H型HIPIB装置典型的工作参数为:离子能量1Mev，束流密度一1500刀cmZ，脉冲宽度(FWID涯)60ns，能量密度一120J/cmZ，束斑尺寸一100cm，，离子束成分为25%c离子和75%H离子。
【引证文献】

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1 谭俊;杜军;;离子束表面工程技术的进展[J];中国表面工程;2012年05期

本文编号：2893569