第一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响

发布时间：2021-06-15 16:19

　　使用第一性原理计算方法研究C/Si比对β-SiC的理想剪切强度的影响,建立化学计量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替换其中的Si原子,经蒙特卡罗方法优化得到非化学计量比下的SiC分子模型,这些晶体的C/Si比的变化范围是1¹.52.每个模型样品都沿[100]方向剪切,得到其剪切应力应变关系,最终了解C/Si比对SiC理想剪切强度的影响.计算结果表明,随着C/Si比增加,SiC的理想强度总体上呈下降趋势.在剪切载荷逐渐增大情况下,晶体会在C团簇周围的C-C键或者C-Si键处断裂.C原子的聚集,会使SiC的剪切强度减少,因为C团簇内部存在应变,而且C团簇越大,SiC的剪切强度下降得越剧烈. 

【文章来源】：华中师范大学学报(自然科学版). 2016,50(02)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 计算方法
2 计算结果
    2.1 化学计量比下SiC计算结果
    2.2 非化学计量比下SiC的计算结果
3 结果分析
    3.1 键长分析
    3.2 C团簇大小的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]聚变堆结构材料SiC/SiC的研究进展[J]. 于海蛟,周新贵,张炜,王洪磊,赵爽,罗征.  材料导报. 2009(23)



本文编号：3231384