GuXSe 2 （X=B,AI,Ga,In,TI）力学性质、电子性质和光学性质的研究

发布时间：2021-11-05 10:51

　　第一性原理计算方法可以模拟材料的晶体结构以及计算材料的各种物理性质,为相关材料的制备提供理论依据。本文基于密度泛函理论的平面波赝势法,对CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶体结构的力学性质、电子结构和光学性质进行详细的计算。首先,对于力学性质的研究是在广义梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）下进行的,采用第一性原理方法研究了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶体结构的稳定性和力学性质。分析了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）结构的晶格常数,弹性常数,体积模量,剪切模量,杨氏模量,泊松比。计算结果表明,根据力学稳定判据,在零温零压下,CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）的晶体结构是力学稳定的。经过同主族替换,发现晶格常数越大,体弹性模量就越小。这可以解释为X离子半径逐渐增大,晶格常数逐渐增加,晶体的可压缩性也增加。由pugh经验关系可知CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）均属于韧性材料。这为金属化合物的锻造提供了理论依据。其次,使用B3LYP关联函数研究了CuXSe2（X=B,Al,Ga,In,Tl）晶体结构的电子性质。计算了... 

【文章来源】：渤海大学辽宁省

【文章页数】：55 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)的能带结构

21图 4-1 CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)的能带结构Fig4-1 Band structures of CuXSe2(X=B，Al，Ga，In，Tl)由能带结构的宽窄来判断不同原子之间的重叠情况，观察五种化合物的能带

【参考文献】：
期刊论文
[1]黄铜矿型半导体材料CuAlX2（X=S,Se,Te）的电子结构和光学性质[J]. 周和根,陈虹,陈懂,李奕,丁开宁,黄昕,章永凡.  物理化学学报. 2011(12)
[2]迅速发展的CIGS薄膜太阳电池[J]. 朱洁.  电源技术. 2008(01)



本文编号：3477658