基于客户端/服务器模式的正电子湮灭测量软件的搭建
发布时间：2021-01-16 13:21
正电子湮灭技术是材料研究中的重要的方法,能够得到材料中的电子密度、元素组成以及缺陷等微观信息,可以来分析材料的性能。基于现有正电子湮灭测量软件存在的限制,本论文提出了一种新的解决方案和搭建了整个软件系统。本论文提出的正电子湮灭测量软件的设计是基于客户端/服务器的模式,采用分离式的设计方法,使实验设备和用户操作软件彻底分开,解决了原有软件中存在的测试场地和时间方面的限制,使实验人员可以对软件和设备进行远程控制和管理。正电子湮灭测量软件的搭建分成服务器软件设计、客户端软件设计以及远程控制网络建设三部分的工作,其中,服务器软件的设计目的是用于与设备通信获取采集数据以及与客户端通信提供验证服务和实验数据,内容包括与设备的通信、相关工作模式下的数据处理和数据库的使用,客户端软件的设计目的是给用户提供操作控制平台以及与服务器通信,内容包括软件界面设计、软件功能实现、二维数据画图和三维立体绘制,远程控制网络建设的目的是将分离的客户端与服务器构建通信的通道,内容包括TCP通信传输的设计、传输数据的压缩和传输数据的加密。所以,正电子湮灭测量软件在远程控制网络的作用下使服务器软件和客户端软件紧密联系,能够...
【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
全球正电子研究的发展趋势（主要参考标准是发表论文的数量）
图 1-2 正电子湮灭的过程其中，em 是电子的静止质量，c 是光速，BE 是电子和正电子之间的束缚能，P子的纵向动量分量，1E 和2E 分别是两个伽马光子的能量，大小主要由LP 决定2/ 2 0.511 B c + E =M eV。因为参与湮灭的电子具有一定的动量，湮灭产生的两个光子的能量相2/ 2 B c + E有一定的多普勒能移12L E = P c，两个光子的能移大小相等，方向相于多普勒效应，使得产生的湮灭伽马光子的能量出现了展宽，最大展宽值为 2 个现象是多普勒能量的展宽，其中，波形如图 1-3b 所示，呈现出对称的类高斯电子在湮灭时产生的 0.511MeV 的伽马光子可以被寿命谱仪接收，作为正电子件的结束时间，与产生 1.28MeV 的伽马光子之间的时间差是正电子的生存时正电子寿命，在图 1-3a 所示，正电子寿命的波形为类方波。多普勒能量展宽
图 1-3 正电湮灭产生波形图，图 a 是正电子湮灭的寿命波形，图 b 是正电子湮灭的能波形通过湮灭事件的累积，正电子湮灭寿命谱和正电子多普勒展宽谱根据这些事件据形成统计谱图。对这两个谱图进行分析，可以得到材料中的微观结构信息，获料中的相关性能。正电子的湮灭寿命与正电子在材料中的存活时间相关，与正电材料中的湮灭率成反比，而湮灭率与周围的电子密度成正比，所以，正电子的寿以反映出湮灭位置周围电子的密度信息[10~12]。正电子的湮灭特性分为自由态湮灭获态湮灭，前者主要在金属和合金中进行研究，湮灭的寿命是自由态正电子寿命命时间较短，而后者主要在缺陷中进行研究，湮灭的寿命是捕获态正电子寿命，时间跟缺陷的类型和浓度有关。所以，正电子湮灭寿命谱的分析可以提供材料中密度、缺陷等微观信息。多普勒展宽谱存在波峰区和两翼区两个部分，分别对应参数分析法中的S 参数和W 参数，如图 1-4 所示，其中，S 参数定义了谱中0.511M
【参考文献】：
期刊论文
[1]应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究[J]. 罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强,靳硕学,于润升,王宝义. 核技术. 2018(02)
[2]正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展[J]. 曹兴忠,宋力刚,靳硕学,张仁刚,王宝义,魏龙. 物理学报. 2017(02)
[3]用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜[J]. 王胜,杨静,田丽霞,于胜楠,曹兴忠,潘福生,姜忠义,于润升,王宝义,张鹏. 核技术. 2015(03)
[4]正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应[J]. 张兰芝,王宝义,王丹妮,魏龙,林均品,王文俊. 金属学报. 2007(03)
硕士论文
[1]双通道正电子多普勒谱仪信号处理显示系统[D]. 王根平.华中科技大学 2009
[2]基于FPGA的二维多普勒谱仪数据分析系统设计及实现[D]. 黄纯静.华中科技大学 2009
[3]正电子二维多普勒谱仪中网络传输模块的设计[D]. 尚世博.华中科技大学 2008
本文编号：2980902
【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
全球正电子研究的发展趋势（主要参考标准是发表论文的数量）
图 1-2 正电子湮灭的过程其中，em 是电子的静止质量，c 是光速，BE 是电子和正电子之间的束缚能，P子的纵向动量分量，1E 和2E 分别是两个伽马光子的能量，大小主要由LP 决定2/ 2 0.511 B c + E =M eV。因为参与湮灭的电子具有一定的动量，湮灭产生的两个光子的能量相2/ 2 B c + E有一定的多普勒能移12L E = P c，两个光子的能移大小相等，方向相于多普勒效应，使得产生的湮灭伽马光子的能量出现了展宽，最大展宽值为 2 个现象是多普勒能量的展宽，其中，波形如图 1-3b 所示，呈现出对称的类高斯电子在湮灭时产生的 0.511MeV 的伽马光子可以被寿命谱仪接收，作为正电子件的结束时间，与产生 1.28MeV 的伽马光子之间的时间差是正电子的生存时正电子寿命，在图 1-3a 所示，正电子寿命的波形为类方波。多普勒能量展宽
图 1-3 正电湮灭产生波形图，图 a 是正电子湮灭的寿命波形，图 b 是正电子湮灭的能波形通过湮灭事件的累积，正电子湮灭寿命谱和正电子多普勒展宽谱根据这些事件据形成统计谱图。对这两个谱图进行分析，可以得到材料中的微观结构信息，获料中的相关性能。正电子的湮灭寿命与正电子在材料中的存活时间相关，与正电材料中的湮灭率成反比，而湮灭率与周围的电子密度成正比，所以，正电子的寿以反映出湮灭位置周围电子的密度信息[10~12]。正电子的湮灭特性分为自由态湮灭获态湮灭，前者主要在金属和合金中进行研究，湮灭的寿命是自由态正电子寿命命时间较短，而后者主要在缺陷中进行研究，湮灭的寿命是捕获态正电子寿命，时间跟缺陷的类型和浓度有关。所以，正电子湮灭寿命谱的分析可以提供材料中密度、缺陷等微观信息。多普勒展宽谱存在波峰区和两翼区两个部分，分别对应参数分析法中的S 参数和W 参数，如图 1-4 所示，其中，S 参数定义了谱中0.511M
【参考文献】：
期刊论文
[1]应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究[J]. 罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强,靳硕学,于润升,王宝义. 核技术. 2018(02)
[2]正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展[J]. 曹兴忠,宋力刚,靳硕学,张仁刚,王宝义,魏龙. 物理学报. 2017(02)
[3]用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜[J]. 王胜,杨静,田丽霞,于胜楠,曹兴忠,潘福生,姜忠义,于润升,王宝义,张鹏. 核技术. 2015(03)
[4]正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应[J]. 张兰芝,王宝义,王丹妮,魏龙,林均品,王文俊. 金属学报. 2007(03)
硕士论文
[1]双通道正电子多普勒谱仪信号处理显示系统[D]. 王根平.华中科技大学 2009
[2]基于FPGA的二维多普勒谱仪数据分析系统设计及实现[D]. 黄纯静.华中科技大学 2009
[3]正电子二维多普勒谱仪中网络传输模块的设计[D]. 尚世博.华中科技大学 2008
本文编号：2980902
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