基于比特重排的减少机顶盒芯片DDR接口SSN的方法

发布时间：2018-06-11 15:48

  本文选题：DDR + SDRAM(双速率静态随机访问存储器)　； 参考：《电子学报》2014年03期

【摘要】：封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)接口的传输频率.本文利用视频数据的相关性,及DDR颗粒的数据比特可以任意交换的特点,提出对DDR接口数据进行数据比特重排的方法来降低SSN效应.视频解码器使用到的数据在二维空间上高度相关.在DDR接口版图设计时将高比特位的数据与低比特位的数据在空间上交错放置,可使得DDR接口的电流分布更加平衡,减少通过封装寄生电感的平均电流,最终减少SSN.本文提出的方法成功用于台积电55rm工艺高清机顶盒芯片的设计.QFP封装的样片的DDR接口传输速率达到1066Mbps.
[Abstract]:The SSN Access Simulant switching Noise1 (synchronous switching noise) effect hinders the transmission frequency of the DDR SDRAM double data Random Access memory (DDR SDRAM) interface of the low cost QFP Quad flat package. Based on the correlation of video data and the characteristic that DDR data bits can be exchanged arbitrarily, a method of data bit rearrangement for DDR interface data is proposed to reduce SSN effect. The data used by the video decoder is highly correlated in two-dimensional space. When the layout of DDR interface is designed, the high bit data and the low bit data are interleaved in space, which makes the current distribution of DDR interface more balanced, reduces the average current of parasitic inductor by encapsulating, and finally reduces the SSN. The method proposed in this paper has been successfully used in the design of high definition STB chip in TSMC 55rm process. The DDR interface transmission rate of the sample chip encapsulated by QFP has reached 1066 Mbps.
【作者单位】： 浙江大学信息与通信工程研究所;杭州国芯科技股份有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(No.61072081,No.61271338) 国家科技重大专项(No.2009ZX01033-001-007)
【分类号】：TN948.55

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2005831