宽禁带半导体在雷达中的应用
[Abstract]:Compared with conventional semiconductor silicon or gallium arsenide, silicon carbide and gallium nitride with wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown electric field and so on, are high power, high temperature, high frequency, and so on, which have many outstanding advantages, such as wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown electric field and so on. Ideal semiconductor materials for radiation-resistant applications. The application of wide band gap semiconductor technology in radar and its development in the United States are introduced. The technological progress brought by the combination of wide band gap semiconductor technology and radar technology and its influence on the next generation radar technology are described.
【作者单位】： 中国国防科技信息中心;
【分类号】：TN304.2;TN958
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，本文编号：2443196
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