浙江省J市企业科技人才引进中的政府支持政策研究
【学位单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:C964.2;F279.27;F272.92
【部分图文】:
63 BMP 从图 4.13 可以看出,将优化后的阵列天线子阵相位中 4 个子阵相位中心进行相消处理,信号的增益曲线会产生一个很深的零点,与此同时,在主瓣干扰对称的方向的零点。图 4.14 是存在一个主瓣干扰时的方向图,经天线接收信号中的主瓣干扰分量,预处理之后通过一般方向产生 80dB以下的零陷深度,有效地抑制了旁瓣干
变、波束指向偏移和旁瓣电平升高等问题。:两个主瓣干扰,二维阻塞矩阵预处理后的信号增益曲线与方件:主瓣干扰一和和主瓣干扰二同时存在,其他条件同仿真三号增益曲线如图 4.15 所示,阵列天线自适应方向图如图 4.16
【参考文献】
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本文编号:2862077
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