60GHz宽带双极化阵列天线研究
发布时间:2021-11-21 09:02
本文提出了一种基于低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)工艺的60GHz频段宽带双极化4×4阵列天线。所提出的阵列天线采用双馈技术L型探针天线单元结构、"立交桥"式复杂馈电网络,以及加载等效腔体结构,具有体积紧凑、工作频带宽、增益较高、增益带宽平缓、端口隔离度高、交叉极化电平低等优良特点。此外,分析了加载等效腔体结构对双极化天线阵列性能的影响。所提出的60GHz宽带双极化阵列天线可实现天线与芯片的AiP系统封装集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高性能、高集成度、小型化的应用需要。
【文章来源】:雷达科学与技术. 2020,18(02)北大核心
【文章页数】:10 页
【部分图文】:
图1 两种双极化L型探针馈电天线单元
图1 两种双极化L型探针馈电天线单元图2分别给出了采用两种不同馈电结构的天线单元的S参数仿真结果。对于天线结构Ⅰ,如图2(a)所示,其端口1作为天线激励时,所对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从51.5GHz到70GHz。而当从端口2激励天线单元时,频率范围从53.5GHz一直到仿真上限75GHz所对应的|S22|均小于-10dB。图2(b)给出了天线结构Ⅱ对应不同端口激励情况下的阻抗S参数仿真结果。当结果Ⅱ的天线单元从端口1激励时,其对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从52.5GHz到68.5GHz。而当天线从端口2激励时,其对应的阻抗带宽(|S22|<-10dB)的频率范围从53.5GHz到72.5GHz。图3给出了两种天线结构所对应的两端口隔离程度仿真结果。可以看出,采用双馈电技术的结构Ⅱ天线单元与结构Ⅰ天线单元相比,隔离程度提到了10dB,|S21|的值小于-25dB。
图2分别给出了采用两种不同馈电结构的天线单元的S参数仿真结果。对于天线结构Ⅰ,如图2(a)所示,其端口1作为天线激励时,所对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从51.5GHz到70GHz。而当从端口2激励天线单元时,频率范围从53.5GHz一直到仿真上限75GHz所对应的|S22|均小于-10dB。图2(b)给出了天线结构Ⅱ对应不同端口激励情况下的阻抗S参数仿真结果。当结果Ⅱ的天线单元从端口1激励时,其对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从52.5GHz到68.5GHz。而当天线从端口2激励时,其对应的阻抗带宽(|S22|<-10dB)的频率范围从53.5GHz到72.5GHz。图3给出了两种天线结构所对应的两端口隔离程度仿真结果。可以看出,采用双馈电技术的结构Ⅱ天线单元与结构Ⅰ天线单元相比,隔离程度提到了10dB,|S21|的值小于-25dB。图3 两种双极化天线单元端口隔离仿真对比结果
本文编号:3509199
【文章来源】:雷达科学与技术. 2020,18(02)北大核心
【文章页数】:10 页
【部分图文】:
图1 两种双极化L型探针馈电天线单元
图1 两种双极化L型探针馈电天线单元图2分别给出了采用两种不同馈电结构的天线单元的S参数仿真结果。对于天线结构Ⅰ,如图2(a)所示,其端口1作为天线激励时,所对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从51.5GHz到70GHz。而当从端口2激励天线单元时,频率范围从53.5GHz一直到仿真上限75GHz所对应的|S22|均小于-10dB。图2(b)给出了天线结构Ⅱ对应不同端口激励情况下的阻抗S参数仿真结果。当结果Ⅱ的天线单元从端口1激励时,其对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从52.5GHz到68.5GHz。而当天线从端口2激励时,其对应的阻抗带宽(|S22|<-10dB)的频率范围从53.5GHz到72.5GHz。图3给出了两种天线结构所对应的两端口隔离程度仿真结果。可以看出,采用双馈电技术的结构Ⅱ天线单元与结构Ⅰ天线单元相比,隔离程度提到了10dB,|S21|的值小于-25dB。
图2分别给出了采用两种不同馈电结构的天线单元的S参数仿真结果。对于天线结构Ⅰ,如图2(a)所示,其端口1作为天线激励时,所对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从51.5GHz到70GHz。而当从端口2激励天线单元时,频率范围从53.5GHz一直到仿真上限75GHz所对应的|S22|均小于-10dB。图2(b)给出了天线结构Ⅱ对应不同端口激励情况下的阻抗S参数仿真结果。当结果Ⅱ的天线单元从端口1激励时,其对应的天线阻抗带宽(|S11|<-10dB)的频率范围从52.5GHz到68.5GHz。而当天线从端口2激励时,其对应的阻抗带宽(|S22|<-10dB)的频率范围从53.5GHz到72.5GHz。图3给出了两种天线结构所对应的两端口隔离程度仿真结果。可以看出,采用双馈电技术的结构Ⅱ天线单元与结构Ⅰ天线单元相比,隔离程度提到了10dB,|S21|的值小于-25dB。图3 两种双极化天线单元端口隔离仿真对比结果
本文编号:3509199
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