氧化孔径限制垂直腔面发射激光器的电极优化

发布时间：2017-12-07 01:00

  本文关键词：氧化孔径限制垂直腔面发射激光器的电极优化

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【摘要】：垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种,其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单,成为普遍选用的方式。模拟结果显示,对于氧化孔径限制VCSEL,在氧化孔径边缘处电流密度最大。模拟P型电极内环半径对注入孔径电流密度的影响,结果表明P型电极内环半径越大,器件氧化孔径边缘的电流密度越大,对应的器件工作电压越大,输出光功率越低。综合考虑器件结构的光场分布和发散角分布,计算器件表面光斑面积,得到P型电极内环半径的最优值为8μm。
【作者单位】： 北京工业大学信息学部;
【基金】：国家自然科学基金(11204009) 北京市自然科学基金(4142005) 北京市教委创新能力提升计划(TJSHG201310005001)
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 近年来,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)以其低成本、低驱动电流、低发散角、圆形光束,及输出功率更高、线宽更窄从而可实现一维、二维高密度集成等优点,在自由空间光通信、光信息处理、全光通信和激光抽运等领域备受青睐[1-4]。目前垂直腔面发射半导体激光器在激光显示、激，

本文编号：1260558