基于Si衬底的CdSe薄膜蒸镀工艺研究

发布时间：2017-12-08 04:38

  本文关键词：基于Si衬底的CdSe薄膜蒸镀工艺研究

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【摘要】：采用真空蒸发技术在Si(100)基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、膜厚测试仪、原子力显微镜(AFM)方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征。结果表明:蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能和表面形貌有显著影响。当蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相对较低,薄膜结晶质量较好。
【作者单位】： 西华师范大学物理与空间科学学院;
【基金】：四川省科技厅应用基础研究(2014JY0133) 西华师范大学博士科研启动基金(412577)
【分类号】：O484
【正文快照】： 1引言近年来,光电薄膜材料的研究和开发已成为材料领域研究的热点之一[1-4]。其中,II-VI族化合物半导体材料Cd Se,具有与太阳光谱可见光波段相适应的禁带宽度(1.74 e V),光电性能优异,被多个团队关注和研究[5,6]。Cd Se半导体材料在制备发光二极管、太阳能电池、光电传感器等

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