在芯片表面囚禁冷极性分子的多功能静电阱

发布时间：2017-12-08 06:34

  本文关键词：在芯片表面囚禁冷极性分子的多功能静电阱

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【摘要】：提出了一种用一对金属平板电容器和4根半埋入绝缘介质的杆电极组成的用于囚禁处于弱场搜寻态的冷极性分子的静电表面阱方案。用有限元软件计算了单阱囚禁时的空间电场分布,发现芯片表面上方2.2 mm左右形成了一个三维封闭的静电阱。选用重氨(ND_3)分子作为测试分子,用经典的蒙特卡罗方法模拟了ND_3分子被装载和囚禁的动力学过程。模拟结果表明,当ND_3分子束中心速度为13m/s、装载时刻为0.576ms时,最大装载效率可达53%,被囚禁的冷极性分子的温度约为35mK;如果继续增大平板电极的电压,则原先的单阱将对称分裂为两个阱,两个阱中的分子数目比为1…1;通过改变中间两个杆电极的电压,可实现非对称分裂,以此来调节两阱中囚禁分子数目比;可实现在0%~100%范围内左阱和右阱的分子数目占总分子数目的比例的调节。该方案为进一步研究三维囚禁型冷极性分子静电表面干涉仪打下基础,对于精密测量和研究物质波干涉有着重要的意义。
【作者单位】： 盐城师范学院新能源与电子工程学院;
【基金】：国家自然科学基金青年科学基金(11504318)
【分类号】：O561
【正文快照】： 近年来,关于利用冷分子在非均匀场中受到的偶极梯度力实现对冷分子的操控方面的研究取得了很大0602001-1的进展,例如可实现冷分子的减速[1-7]、分束[8-9]、反射[10]、导引[11-12]和囚禁[13-16]等。被囚禁的冷分子可以用于诸多方面的研究,例如量子计算和量子信息处理[17-18]、

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【共引文献】

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本文编号：1265416