扫描干涉场曝光系统光斑尺寸与光路设计

发布时间：2017-12-10 20:14

本文关键词：扫描干涉场曝光系统光斑尺寸与光路设计

【摘要】：在扫描干涉场曝光(SBIL)系统中,曝光光斑尺寸对干涉条纹的拼接精度、光栅制作效率及干涉场质量有着十分重要的影响。为获取合理的曝光光斑尺寸,基于高斯光束的传输规律及扫描拼接数学模型进行了数值模拟,讨论了曝光光斑尺寸对干涉条纹的非线性误差、刻线拼接误差和曝光对比度的影响。结果表明:小尺寸曝光光斑比大尺寸曝光光斑更有利于控制干涉条纹的非线性误差;由于存在周期测量误差,小尺寸曝光光斑有利于减小拼接后的刻线误差并提高曝光对比度。针对SBIL系统设计了曝光光路,并对所设计的光路进行了优化。对干涉场左右光斑形貌及干涉条纹相位的非线性误差进行了测量,结果表明:曝光光斑的束腰半径约为0.9mm,干涉条纹相位的非线性误差峰谷值为21.8nm。
【作者单位】：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;中国科学院大学;
【基金】：国家重大科研装备研制项目(61227901)
【分类号】：O436.1
【正文快照】： 扫描干涉场曝光(SBIL)技术可用于制作全息光栅,其原理是让两束高斯激光通过一定的光学系统后在0905002-1束腰处相叠加并形成干涉条纹,再通过二维精密工作台以步进扫描的方式将该干涉条纹记录于涂有光刻胶的基底上,从而制作出大面积的光刻胶光栅掩模[1-3]。SBIL技术在一定程度

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