大功率半导体激光器散热研究综述

发布时间：2017-12-13 10:31

  本文关键词：大功率半导体激光器散热研究综述

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【摘要】：近年来,半导体激光器功率不断提高,由之引发的散热问题已成为限制半导体激光器发展的瓶颈。芯片温度升高引起激光器性能下降,要使激光器在大功率条件下依然保持良好特性就必须强化对激光器芯片的散热。通过分析激光器芯片温度对激光器各项性能指标的影响,说明了降低芯片温度对保证激光器正常工作的重要性。鉴于流体侧的对流传热热阻在总热阻起主导作用,重点分析半导体激光器散热结构中流体侧的散热方法,并将其分为传统散热方法和新型散热方法,传统散热方法包括平板热沉散热、大通道水冷等,新型散热方法包括微通道散热、喷雾冷却、射流冲击、热管散热和液态金属散热。总结了各种方法的优缺点,从热流密度和温差两个指标评价各种散热方法,探讨其在激光器散热上的应用前景。
【作者单位】： 中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学;
【基金】：国家重点研发计划(No.2016YFB0402102) 中国科学院重点部署项目(No.KGZD-SW-T01 T01-1);中国科学院科研装备研制项目(No.YZ201532)
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 0引言半导体激光器因体积小、重量轻、电光转换效率 240 W功率提高至1000 W左右W,而它的尺寸却非高等优势,已广泛应用于材料加工、医疗、军事、信 常小,单管尺寸一般在(300?600)(imx(800?1000)息等领域。半导体激光器由基本的发光单管组成,由 fxmxm阿范围内。正是由于激光器芯

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本文编号：1284845